加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入

肖特基二极管

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。收起

查看更多

电路方案

查看更多
  • 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!
    采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!
    与普通产品相比,可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理~ 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器(OBC)等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备
  • 英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V
    英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V
    如今,许多工业应用可以通过提高直流母线电压,在力求功率损耗最低的同时,向更高的功率水平过渡。为满足这一需求,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5,这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用,额定电流为10
  • ​​Nexperia扩展功率器件产品组合,新增标准和车规级理想二极管​
    ​​Nexperia扩展功率器件产品组合,新增标准和车规级理想二极管​
    ​​Nexperia宣布为其持续扩展的功率器件产品组合新增两款理想二极管IC。其中,NID5100适用于标准工业和消费应用,而NID5100-Q100已获得认证,可用于汽车应用。这两款理想二极管均以MOSFET为基础,拥有比传统二极管更低的正向压降,非常适合用来替换系统中的标准二极管,进而满足相关的超高能效要求。 ​ ​​NID5100和NID5100-Q100理想二极管采用小型TSSP6/SOT
  • 大联大世平集团推出基于onsemi、Vishay和Toshiba产品的30W反激式辅助电源方案
    大联大世平集团推出基于onsemi、Vishay和Toshiba产品的30W反激式辅助电源方案
    致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NCP1239BD65R2G PWM控制器的30W反激式辅助电源方案。 图示1-大联大世平基于onsemi、Vishay和Toshiba产品的30W反激式辅助电源方案的展示板图 在信息技术时代,人们对于高效、稳定且具备出色节能特性的辅助电源需求日益增加。特别是在服务器、PC、新能源转换系统以
  • 意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度
    意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度
    随着低开关损耗的宽禁带半导体等技术的广泛应用,设计人员开始提高功率转换器的工作频率,不断刷新功率密度。不过,当开关频率变得更高时,用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大,严重限制了转换能效的改进。