纳米压印光刻

Note: The English version is provided below. 摘要： 近期璞璘科技在纳米压印领域取得重要进展，8 月 1 日，其自主设计研发的首台 PL-SR 系列喷墨步进式纳米压印设备顺利通过验收并交付至国内特色工艺客户。该设备配备了自主研发的模板面型控制系统、纳米压印光刻胶喷墨算法系统、喷墨打印材料匹配及软件控制系统。通过创新材料配方与工艺调控，提高胶滴密度与铺展度

光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。

日本佳能公司10月13日宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，该设备执行电路图案转移。佳能据介绍，佳能的纳米压印光刻（Nano-Imprint Lithography，NIL）技术可实现最小线宽14nm的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5nm节点。此外，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。NanoimprintLithography(NIL)，是一种新型的微纳加工技术。该技术将设计并制作在模板上的微小图形，通过压印等技术转移到涂有高分子材料的硅基板上。纳米压印的分辨率由所用印模板图形的大小决定，物理上没有光刻中的衍射限制，纳米压印技术可以实现纳米级线宽的图形。