碳化硅MOSFET_碳化硅MOSFET资讯

2个晶圆厂新进度：正式投片；车规SiC MOS亮相

近日，国内2家碳化硅IDM厂商实现了晶圆厂和车规级SiC MOS产品方面的突破：9月20日，昕感科技官微宣布，他们于当日顺利完成晶圆厂首批投片，标志着昕感晶圆厂正式进入全面营运阶段。

行家说三代半

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09/24 08:34

晶圆厂 SiC-MOSFET

58.97亿元！芯联集成并购碳化硅相关业务子公司

今年6月20日晚间，芯联集成曾发布公告称，其拟收购控股子公司芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司（以下简称：芯联越州）剩余72.33%股权。历时2个多月后，芯联集成收购芯联越州剩余72.33%股权的并购案迎来了最新进展。9月4日晚间，芯联集成发布公告称，其收购芯联越州剩余72.33%股权的重组草案通过了董事会决议。

化合物半导体市场

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09/06 08:43

碳化硅碳化硅MOSFET

国家队加持，芯片制造关键技术首次突破

据南京发布近日消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时4年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。

全球半导体观察

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09/03 10:20

芯片制造第三代半导体

国产SiC实现3大技术突破：沟槽MOS/8英寸/SiCOI量产

近期国内多家SiC企业均获得了最新技术突破，涉及沟槽技术、大尺寸制备等：● 青禾晶元：实现了高质量晶圆级SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的规模化生产。● 国家第三代半导体技术创新中心（南京）：成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术● 上海汉虹：使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体。

行家说三代半

1739

09/03 08:32

SiC 碳化硅MOSFET

4家SiC相关企业获融资

近日，“行家说三代半”发现，国内又有4家SiC相关企业获得融资：新沥半导体：完成A轮融资，已量产1200V 80毫欧碳化硅MOS；矽迪半导体：完成数千万天使轮融资，将新建试产线工厂；盈鑫半导体：完成天使轮投资，加速CMP进口替代；盖泽科技：完成数千万融资，SiC设备已量产交付。

行家说三代半

2424

04/06 08:25

SiC 碳化硅

碳化硅MOS/超结MOS在直流充电桩上的应用-REASUNOS瑞森半导体

直流充电桩是新能源汽车直流充电桩的简称，一般也被叫做“快充”。直流充电桩一般与交流电网连接，可作为非车载电动汽车的动力补充，是一种直流工作电源的电源控制装置，可以提供充足的电量，输出电压和电流可以连续调节，可有效实现快速充电的要求。

REASUNOS瑞森半导体

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2023/11/24

瑞森半导体碳化硅MOSFET

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。

与非网编辑

2044

2023/08/31

碳化硅MOSFET 驱动信号

东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。

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1328

2023/08/29

传感器碳化硅MOSFET

揭秘碳化硅芯片的设计和制造

众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。 Die Layout 下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFE

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2023/04/04

电阻 BOM

SiC MOSFET配合SMPDTM绝缘封装尽显优势

作者：Littelfuse公司Aalok Bhatt、Francois Perraud、José Padilla和Martin Schulz ISOPLUS - SMPDTM SMPD的全名是安装功率器件(Surface Mount Power Device)，由Littelfuse公司旗下的IXYS（现在是的一部分）开发，是先进的顶部散热绝缘封装技术，为设计工程师简化了处理功率半导体系统集成和安

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2023/03/28

Littelfuse 碳化硅MOSFET

派恩杰半导体完成数亿元A轮融资，SiC车规级功率MOS今年有望实现数亿营收

1月19日，派恩杰半导体（杭州）有限公司（以下简称“派恩杰半导体”）完成数亿元A轮融资，由华润资本，湖杉资本（老股东加持）和欣柯资本共同完成。本轮融资资金将主要用于加速产品研发、扩张产能、加强供应链保障和优化产业链布局。派恩杰半导体成立于2018年9月，是一家碳化硅功率器件设计及方案商，致力于碳化硅和氮化镓功率器件的设计研发与产品销售。公司创始人深耕功率器件领域10余年，研发和产业化多款SiC

集微网

1399

2023/01/28

功率模块碳化硅MOSFET

安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET

领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless (TOLL) 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET。

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345

2022/05/11

安森美 EMI

英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性

碳化硅MOSFET在许多方面优于IGBT的卓越性能不用质疑。但与此同时，因其材料、结构的特殊性，碳化硅MOSFET的可靠性与寿命也一直是工程师们关注与讨论的热点。