碳化硅

• 英飞凌：30年持续领跑碳化硅技术，成为首选的零碳技术创新伙伴
  

  2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花？在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设

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  12/26 08:14

  英飞凌 碳化硅
• 昔日明星企业破产，碳化硅市场出清加速
  

  日前，据全国企业破产重整案件信息网披露，北京市第一中级人民法院受理了北京世纪金光半导体有限公司破产清算案件，并指定北京华信清算服务有限公司担任管理人。昔日明星企业，如今却破产清算，其背后也折射出目前碳化硅乃至第三代半导体市场的窘境。

  半导体产业纵横

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  12/26 09:13

  碳化硅 第三代半导体
• 平面技术PK沟槽技术：探索碳化硅MOSFET的持续演进
  

  在电力电子应用中，功率密度固然重要，但可靠性也同样至关重要，甚至在某些应用中可能更为关键。尽管工程师通常专注于性能局限性问题，但可能导致计划外停机或维修的实际故障则较难接受，因为它们可能会对业务产生不可预见的重大影响。因此，沟槽技术的潜力需要进行更全面的评估。虽然沟槽技术有望成为电力电子工程工具箱的标准配置，事实上也已经被采纳使用，但采用这种技术的人对其提供可靠性能的能力还抱有相当多的"大胆一试"的想法。

  安森美半导体

  509

  12/26 10:20

  碳化硅 MOSFET
• 降低碳化硅衬底TTV的磨片加工方法
  

  一、碳化硅衬底的加工流程 碳化硅衬底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗抛和精抛（CMP）等几个关键工序。每一步都对最终产品的TTV有着重要影响。 切割：将SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多线砂浆切割是目前常用的切割方式，关键在于确保切割后的晶片厚度均匀、翘曲度小。 粗磨：去除切割过程中产生的表面损伤和刀纹，修复变形。此过程需使用高硬度磨料，如碳化硼或金刚石粉，以达到稳定的去除速率。 精磨：进一步降

  万智光学

  238

  12/25 09:10

  碳化硅 半导体晶圆
• 激光退火后，碳化硅衬底TTV变化管控
  

  一、激光退火在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 激光退火是一种先进的热处理技术，通过局部高温作用，能够修复碳化硅衬底中的晶格缺陷，提高晶体质量，优化掺杂元素的分布，从而改善材料的导电性能和表面结构。然而，激光退火过程中，由于激光能量分布的不均匀性、退火参数的精确控制难度以及衬底材料的初始状态等因素，往往会导致衬底表面TTV的变化，进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响激光退火后TTV变化的关

  万智光学

  420

  12/24 10:04

  碳化硅 半导体晶圆
• 优化湿法腐蚀后碳化硅衬底TTV管控
  

  一、湿法腐蚀在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 湿法腐蚀是碳化硅衬底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面损伤层、调整表面形貌、提高表面光洁度等。然而，湿法腐蚀过程中，由于腐蚀液的选择、腐蚀时间的控制、腐蚀均匀性等因素，往往会导致衬底表面TTV的增加，进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响湿法腐蚀后TTV的关键因素 腐蚀液成分：腐蚀液的选择直接影响腐蚀速率和均匀性。不同的腐蚀液对碳化硅的腐蚀

  万智光学

  344

  12/24 10:03

  碳化硅 半导体晶圆
• 怎么制备半导体晶圆片切割刃料？
  

  半导体晶圆片切割刃料的制备是一个复杂而精细的过程，以下是一种典型的制备方法： 一、原料准备 首先，需要准备高纯度的原料，如绿碳化硅和黑碳化硅。这些原料具有高硬度、高耐磨性和高化学稳定性，是制备切割刃料的理想选择。 二、破碎与筛分 颚式破碎：将原料放入颚式破碎机中进行初步破碎，得到一定粒度的颗粒。 筛分：通过筛分设备将破碎后的颗粒进行分级，筛选出符合要求的粒度范围。 三、湿法球磨分级 将筛分后的颗粒

  万智光学

  388

  12/24 10:03

  碳化硅 晶圆检测
• 降低晶圆TTV的磨片加工有哪些方法
  

  降低晶圆TTV（Total Thickness Variation，总厚度变化）的磨片加工方法主要包括以下几种： 一、采用先进的磨削技术 硅片旋转磨削： 原理：吸附在工作台上的单晶硅片和杯型金刚石砂轮绕各自轴线旋转，砂轮同时沿轴向连续进给。砂轮直径大于被加工硅片直径，其圆周经过硅片中心。 优点：单次单片磨削，可加工大尺寸硅片；磨削力相对稳定，通过调整砂轮转轴和硅片转轴之间的倾角可实现单晶硅片面型的

  万智光学

  360

  12/24 10:02

  碳化硅 半导体晶圆
• 国产8英寸SiC芯片如何突围？5位大咖这样说
  

  本次圆桌论坛主要围绕“产业协同加速8英寸SiC时代到来”的主题进行讨论，让我们来看看五位嘉宾互相碰撞出了哪些精彩观点吧！

  行家说三代半

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  12/23 11:20

  SiC 碳化硅
• 半导体硅片和碳化硅大厂分别建新厂！
  

  近日，全球半导体硅片大厂环球晶和汽车零部件供应商博世均宣布，获得美国芯片法案的巨额补贴。该项补贴将分别用于12英寸先进制程硅晶圆制造厂及8英寸碳化硅晶圆厂的扩产。

  全球半导体观察

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  12/19 16:24

  碳化硅 半导体硅片
• 聚焦SiC大面积银烧结，该企业透露“关键一招”
  

  近日，聚砺新材料透露，他们聚焦碳化硅功率模块厂商的大面积银烧结工艺需求，发布了具有高可靠性和稳定性的有压烧结银膏 FC-325LA，样品经1000次循环测试后无空洞、裂纹或分层，性能表现卓越。

  行家说三代半

  681

  12/10 09:30

  SiC 碳化硅
• 中汽协颁奖 | 芯联动力获“2024中国汽车芯片创新成果”荣誉
  

  芯联集成控股子公司芯联动力的SiC MOS主驱芯片，成功斩获中国汽车工业协会（简称“中汽协”）“2024中国汽车芯片创新成果”奖项。这份荣誉是对公司技术创新实力的高度赞誉和有力肯定。 芯联集成自2021年开始启动碳化硅研发，2023年正式量产，是国内第一个真正把碳化硅大规模应用到新能源汽车主驱的企业。 2023年10月，芯联集成联合产业链重要伙伴一起成立芯联动力，将碳化硅业务独立化运营，加速扩大公

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  1183

  12/06 18:36

  碳化硅 汽车芯片
• 半导体国产化开启全力加速跑！
  

  半导体国产化发展是一个长期命题，近年来中国半导体产业链上下游国产化程度逐步提高，但当前国内外形势反复，刺激中国半导体产业加速迈进。中国半导体协会副理事长叶甜春近日表示，近几年大家一直在说卡脖子和补短板，而这两年我们也确实做出来很大的成绩。但是把短板补齐未必就意味着能发展，“替代”永远不是发展的主题。

  全球半导体观察

  1464

  12/04 08:34

  碳化硅 半导体产业
• ST加大在华合作对中国半导体国际合作的启示
  

  11月20日ST首席执行官Jean-Marc Chery宣布，ST将由华虹代工其微控制器芯片；近日，据悉ST合资的重庆碳化硅项目进展良好，即将通线。在即将到来的特朗普2.0时代，业界都认为中欧半导体产业应该加强合作。正在此时，ST密集加强与中国企业合作，这为后续中欧合作提供了很好的示范。恰好芯谋研究参与了这两个项目，并尽了绵薄之力，我们从这两个案例的点滴来看推动中国半导体国际合作有哪些可借鉴之处。

  芯谋研究

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  11/29 10:50

  碳化硅 半导体产业
• 干货 | 碳化硅可靠性验证要点
  

  从MOSFET 、二极管到功率模块，功率半导体产品是我们生活中无数电子设备的核心。从医疗设备和可再生能源基础设施，到个人电子产品和电动汽车(EV)，它们的性能和可靠性确保了各种设备的持续运行。

  安森美半导体

  1229

  11/29 10:10

  碳化硅 SiC半导体
• 内卷加剧，考验芯片企业的竞争策略
  

  “我们不会盲目断言2025年将会更容易，我们会非常谨慎和警醒地对待这一年，就像对待2024年一样。”近日，在一次媒体交流中，提及对汽车半导体市场未来前景的预判，安森美CEO Hassane El-Khoury如是说。 安森美CEO Hassane El-Khoury 这一预判相信也是很多芯片企业的共识，尤其是国际品牌，虽然从SIA（美国半导体行业协会）的市场数据来看，全球半导体市场的销售额自202

  高扬

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  11/28 09:31

  碳化硅 安森美
• 三安、士兰微等5个SiC项目公布新进展
  

  近日，“行家说三代半”发现，国内新增5个碳化硅项目进展，包括士兰微、三安半导体等。11月21日，据福建环保网公示，厦门士兰明稼SiC功率器件生产线建设项目已完成环保验收，目前正在稳定运行中。

  行家说三代半

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  11/26 08:45

  SiC 碳化硅
• SiC价格跳水，开启下半场战役
  

  2023年，国内碳化硅（SiC）衬底行业涌入大量的玩家，众多项目在全国各地落地，产能扩张达到空前规模。据行业数据显示，2023年国内SiC衬底的折合6英寸销量已超过100万片，许多厂商的产能爬坡速度超过预期。直至如今，6英寸SiC衬底的扩产动作仍在继续。

  半导体产业纵横

  2357

  11/25 11:50

  SiC 碳化硅
• 碳化硅如何加速新能源汽车普及？你必须要知道的细节！
  

  习惯能在5分钟内完成能量补给的燃油车车主们，难免会对新能源汽车产生“里程焦虑”。这种焦虑源自于汽车的充电时间和续航能力。然而，随着充电技术的不断提升，特别是以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体技术日益成熟，新能源汽车的充电效率和整体性能迎来了革命性的提升，这不仅有望缓解车主的充电焦虑，还将加速新能源汽车的普及进程。

  安富利

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  11/19 12:30

  新能源汽车 碳化硅
• 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器STGAP3S为 IGBT和SiC MOSFET提供灵活的保护功能
  

  意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。 STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV，共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术，STGAP3S提高了空调、工厂自动

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  988

  11/13 08:08

  碳化硅 意法半导体

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