碳化硅芯片_碳化硅芯片资讯

作为SiC产业头部厂商，三安光电的相关动态在业内受到广泛关注。近日，三安光电披露了一系列最新进展，涉及8英寸转型、新衬底工厂通线、成立新公司、政府补助等方方面面。

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07/04 09:02

三安光电碳化硅芯片

功率半导体的技术和材料创新，致力于提高能量转换效率（理想转换率为100%）。基于SiC材料的功率器件比传统的Si基功率器件具有更高的效率和更低的损耗。广泛应用于新能源汽车、光伏风电、不间断电源、家用电器和工业控制等领域，具有广阔的应用前景。目前SiC工业发展的瓶颈主要是SiC衬底的高成本(是Si的4~5倍，预计在未来1年内价格将逐渐下降到Si的2倍)。

Keep Tops

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2023/09/22

碳化硅芯片

碳化硅需求激增，玩家们花式保供

为了加快电动汽车的普及，玩家们一直在努力提高电动汽车效率和缩短充电时间。在此背景下，碳化硅材料逐渐成为汽车行业的焦点，大部分车企和零部件供应商都在积极保供。

盖世汽车

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2023/08/21

SiC 碳化硅

麦格纳和安森美达成碳化硅芯片供应协议，为期十年

麦格纳在7月27日表示，将在其电驱动（eDrive）系统中集成安森美的EliteSiC智能电源方案。与标准硅基半导体相比，碳化硅芯片（SiC）将有助于提供更好的冷却效果、更快的加速以及充电时间。因此，麦格纳 eDrive 系统集成安森美 EliteSiC 技术后，将具有更好的散热性能、更快的加速度和充电速度，从而提高能效并增加电动汽车的续航里程。

盖世汽车

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2023/07/31

芯片供应碳化硅芯片

揭秘碳化硅芯片的设计和制造

众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。 Die Layout 下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFE

与非网编辑

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2023/04/04

电阻 BOM

英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效

英飞凌科技股份公司发布了一项全新的CoolSiC™技术，即CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。

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2022/05/10

英飞凌碳化硅芯片

【资讯】自动驾驶芯片公司奕行智能（EVAS）完成近2亿元天使轮融资

自动驾驶芯片公司奕行智能（EVAS）完成近2亿元天使轮融资；中电科二所研制出山西首片碳化硅芯片；芯钛科技获超亿元融资，加速推进国产化车规级高端MCU产品研发等；速腾聚创完成新一轮战略融资。