加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入

碳化硅芯片

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论
  • 三安半导体:8英寸碳化硅芯片预计12月投产!
    三安半导体:8英寸碳化硅芯片预计12月投产!
    作为SiC产业头部厂商,三安光电的相关动态在业内受到广泛关注。近日,三安光电披露了一系列最新进展,涉及8英寸转型、新衬底工厂通线、成立新公司、政府补助等方方面面。
  • 领先的第三代半导体碳化硅芯片是什么?
    功率半导体的技术和材料创新,致力于提高能量转换效率(理想转换率为100%)。基于SiC材料的功率器件比传统的Si基功率器件具有更高的效率和更低的损耗。广泛应用于新能源汽车、光伏风电、不间断电源、家用电器和工业控制等领域,具有广阔的应用前景。目前SiC工业发展的瓶颈主要是SiC衬底的高成本(是Si的4~5倍,预计在未来1年内价格将逐渐下降到Si的2倍)。
  • 碳化硅需求激增,玩家们花式保供
    碳化硅需求激增,玩家们花式保供
    为了加快电动汽车的普及,玩家们一直在努力提高电动汽车效率和缩短充电时间。在此背景下,碳化硅材料逐渐成为汽车行业的焦点,大部分车企和零部件供应商都在积极保供。
    2271
    2023/08/21
  • 麦格纳和安森美达成碳化硅芯片供应协议,为期十年
    麦格纳和安森美达成碳化硅芯片供应协议,为期十年
    麦格纳在7月27日表示,将在其电驱动(eDrive)系统中集成安森美的EliteSiC智能电源方案。与标准硅基半导体相比,碳化硅芯片(SiC)将有助于提供更好的冷却效果、更快的加速以及充电时间。因此,麦格纳 eDrive 系统集成安森美 EliteSiC 技术后,将具有更好的散热性能、更快的加速度和充电速度,从而提高能效并增加电动汽车的续航里程。
  • 揭秘碳化硅芯片的设计和制造
    众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求,接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。 Die Layout 下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFE
    2769
    2023/04/04