碳化硅晶体

• 国产SiC实现3大技术突破：沟槽MOS/8英寸/SiCOI量产
  

  近期国内多家SiC企业均获得了最新技术突破，涉及沟槽技术、大尺寸制备等：● 青禾晶元：实现了高质量晶圆级SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的规模化生产。● 国家第三代半导体技术创新中心（南京）：成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术● 上海汉虹：使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体。

  行家说三代半

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  09/03 08:32

  SiC 碳化硅MOSFET
• 分享 | 可编程晶振芯片几个知识点
  什么是可编程晶振？可编程晶振多为有源晶振，由两个芯片组成；一个是全硅MEMS谐振器，一个是具有温补功能的芯片，可以启动电路锁相环CMOS。它采用标准化的半导体芯片MCM封装。可以采用全自动标准半导体制造工艺，比如现在电子产品设计用的IC，稳定性和质量都很好；生产过程中不能出现人为错误。

  深圳扬兴科技有限公司

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  01/10 08:46

  晶振 可编程晶振
• 决战碳化硅：成败在于衬底大小与厚度？
  近年来，包括碳化硅在内的功率半导体市场并没有因整个半导体行业的周期性下行而出现丝毫颓势，反而逆市上扬，发布新产品的、投资的、扩大产能的动作比比皆是，目的不外一个：降本增效。怎么做到？还得从碳化硅器件的原材料——晶锭说起。

  文立

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  2023/05/04

  SiC 碳化硅
• 晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体
  近日，晶盛机电通过官方微信公众号宣布，经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，8月12日，首颗8英寸（200mm）N型SiC（碳化硅）晶体成功出炉，晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代。

  芯智讯

  555

  2022/08/16

  半导体材料 晶盛机电

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