碳化硅功率器件_碳化硅功率器件资讯

近日，聚砺新材料透露，他们聚焦碳化硅功率模块厂商的大面积银烧结工艺需求，发布了具有高可靠性和稳定性的有压烧结银膏 FC-325LA，样品经1000次循环测试后无空洞、裂纹或分层，性能表现卓越。

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2024/12/10

SiC 碳化硅

近年来，中国新能源汽车市场发展非常迅猛。根据中汽协数据显示，2023年，中国新能源汽车销量达到了949.5万辆，同比增长37.9%，市场占有率已达31.6%。预计2024年，中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆，市占率可能超过45%，同时将占据全球新能源汽车总销量的约60%。

芯智讯

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2024/10/30

SiC SiC产业

芯联集成获广汽埃安旗下全系车型定点

TrendForce集邦咨询最新《2024全球SiC Power Device市场分析报告》显示，尽管纯电动汽车（BEV）销量增速的明显放缓已经开始影响到碳化硅供应链，但作为未来电力电子技术的重要发展方向，碳化硅在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiCPower Device市场规模有望达到91.7亿美元。

化合物半导体市场

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2024/10/10

碳化硅功率器件车规级SiC

英飞凌全球最大8英寸碳化硅晶圆厂启动，影响几何？

近日，英飞凌宣布其位于马来西亚的新工厂（Kulim 3）一期项目正式启动运营，建设完成后该工厂将成为全球最大且最具竞争力的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂。据了解，该工厂的一期项目投资额高达20亿欧元，将重点生产碳化硅功率半导体，并涵盖氮化镓外延的生产。目前该工厂已经获得了总价值约50亿欧元的设计订单，并且收到了来自新老客户约10亿欧元的预付款。

化合物半导体市场

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2024/08/12

英飞凌晶圆厂

碳化硅大咖齐聚无锡，IPF 2024第二届碳化硅功率器件制造与应用测试大会即将举办

6月26-28日，IPF 2024第二届碳化硅功率器件制造与应用测试大会将在无锡锡山区长三角工业芯谷会议中心盛大召开。本次大会由InSemi Research、锡山经开区集成电路产业联盟联合主办，由无锡能芯检测实验室、PCIM Asia协办，并由碳化硅芯观察与电动车千人会承办。大会以“穿越周期，韧性增长”为主题，解构碳化硅市场增长确定性与新业态模式、前沿技术趋势以及落地应用进程。目前已经吸引近千人

与非网编辑

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2024/06/25

功率半导体电动车

罗姆集团旗下SiCrystal与意法半导体新签协议，扩大碳化硅衬底供应

罗姆 (东京证交所股票代码: 6963) 与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 宣布，双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 衬底晶圆多年长期供货协议基础上，继续扩大合作。根据新签署的长期供货协议，SiCrystal公司将对意法半导体加大德国纽伦堡产的碳化硅衬底晶圆供应力度，预计协议总价不低于2.3亿美元。

与非网编辑

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2024/04/23

意法半导体罗姆

碳化硅MOS管在三相逆变器上的应用-REASUNOS瑞森半导体

三相逆变器的定义是将直流电能转换为交流电能的转换器，其基本原理就是SPWM，硬件架构为四个功率模块组成单相、三相桥式电路，桥式输出至负载间串接低通滤波元件，控制回路具有两个信号产生源，一个是固定幅值的三角波（调制波）发生器，一个为正弦波发生器，利用三角波对正弦波进行调制，就会得到占空比按照正弦规律变化的方波脉冲列，调制比不同，一个正弦周期脉冲列数等于调制波频率除以基博频率）。再用方波脉冲列去控制上述桥式电路，在输出上就得到了符合要求的正弦电压电流了。

REASUNOS瑞森半导体

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2023/12/11

半导体 MOS管

意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置

意法半导体发布了ACEPACK1 DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块，新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装，目标应用是车载充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统，产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等，提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。

与非网编辑

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2023/10/30

功率模块碳化硅功率器件

中国车用碳化硅功率模块的成长之路

在全球汽车电动化的浪潮下，汽车半导体领域的功率电子器件作为汽车电动化的核心部件，成为了车企和电机控制器Tire 1企业关注的热点。车用功率模块已从硅基IGBT为主的时代，开始逐步进入以碳化硅MOSFET为核心的发展阶段。

芝能汽车

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2023/08/08

《汽车电子瞭望台》系列 SiC

碳化硅功率器件封装关键技术

与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度，抗辐照能力得到提升；碳化硅材料击穿电场是硅的 10 倍，因此，其器件可设计更高的掺杂浓度及更薄的外延厚度，与相同电压等级的硅功率器件相比，导通电阻更低；碳化硅具有高电子饱和速度的特性，使器件可工作在更高的开关频率；同时，碳化硅材料更高的热导率也有助于提升系统的整体功率密度。

森国科

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2023/07/27

功率器件封装技术

如何看待Tesla宣称硅削SiC

Tesla在投资者日上宣布将削减动力总成中SiC（碳化硅）器件达75%，但未提供足够的背景信息。他们所声称的背后是否有实质性的支持？此事不仅涉及SiC供应商的股价，还关乎SiC行业的未来，以及Tesla对整个电动车行业其它OEM的影响。

Astroys

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2023/03/14

SiC 特斯拉

Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂

全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）于今日宣布计划将在德国萨尔州建造一座高度自动化、采用前沿技术的 200mm 晶圆制造工厂。这将是 Wolfspeed 公司在欧洲的首座工厂，同时也将成为 Wolfspeed最先进的工厂，并将在欧盟打造突破性创新碳化硅开发与制造中心，以支持满足来自汽车、工业、能源等多种广泛应用不断增长的需求。这座 Wolfspee

与非网编辑

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2023/02/02

Wolfspeed 碳化硅功率器件

汽车缺芯从MCU转到IGBT，碳化硅功率器件“难解近渴”？

汽车行业分析公司AFS的最新数据显示，由于芯片短缺，今年全球汽车市场累计减产量约为281.02万辆。AFS预测，到今年年底，全球汽车制造商将减产368.06万辆。

中国电子报

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2022/08/05

IGBT 功率器件

Microchip推出业界领先的3.3 kV碳化硅（SiC）功率器件，实现更高的效率与可靠性

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围