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氮化镓

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氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。

氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。收起

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    作者:泰克科技,Yogesh Pai 示波器测量电流的常见方法包括使用电流互感器、罗氏线圈和霍尔效应钳式探头。按规格要求使用时,优质磁探头的测量结果非常准确。因为不需要断开电路,因此用于测量在电线或测试回路中流动的电流也很方便。然而,磁探头存在一些固有的局限性。在本文中,作者将介绍针对基于分流器进行电流测量而优化的探头属性,并探讨 IsoVuTM电流分流探头特别适用的两种应用。 如上所述,使用磁探
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    氮化镓作为颠覆传统功率器件的革命性创新,正逐渐扩展其应用边界。作为全球高压功率转换技术的领军企业,Power Integrations(简称PI)长期致力于通过创新推动行业变革,尤其是在氮化镓(GaN)技术领域不断实现突破。 2024年11月4日,PI发布了业界首款1700V氮化镓开关IC——InnoMux™-2,这一产品标志着氮化镓技术发展的重要里程碑。InnoMux™-2采用PI独有的Powi
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    随着微波射频、高效功率电子和光电子等新需求的快速发展,宽禁带半导体材料对推动半导体产业发展的重要性日益凸显。尤其是伴随人工智能、新能源汽车、物联网等新兴领域的进一步发展,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体需求逐渐攀升,宽禁带半导体在技术推进、产品创新、行业布局上都迎来了新的变化。
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    近期,“行家说三代半”又发现行业内又新增2起氮化镓收购案:11月6日,据MACOM官网透露,MACOM已经完成对氮化镓企业ENGIN-IC的收购,此次交易以现金支付,预计对 MACOM 的近期财务业绩影响不大。
  • Power Integrations推出1700V氮化镓开关IC 为氮化镓技术树立新标杆
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    1700V额定耐压的氮化镓InnoMux-2 IC可在1000VDC母线电压下实现高于90%的效率,并通过三路精确调整的输出提供高达70W的功率 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出InnoMux™-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN™技术制造而成,是业界首款17
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    继宣布推出全球首款300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂之后,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。英飞凌在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展,这种晶圆直径为300㎜,厚度为20μm。厚度仅有头发丝的四分之一,是目前最先进的40-60μ
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    近日,日本功率器件大厂罗姆半导体(ROHM)公开表示,将在氮化镓功率半导体领域加强与台积电合作,公司旗下的氮化镓产品将全面委托台积电代工生产。
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    近日,山东、浙江及中国台湾地区共新增了4个GaN相关项目,10月18日,据“投资济南”官微消息,济南市半导体、空天信息产业高价值技术成果本市转化对接会于17日在历城区国家超级计算济南中心举办,会上签约了一个GaN单晶项目。
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    近日,一家GaN企业宣布了其在高压氮化镓功率器件领域的突破,电压等级达3300V——10月18日,据“泰克科技”官微消息,近日,远山半导体发布了新一代高压氮化镓功率器件,并送往泰克科技进行了测试。
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    碳化硅和氮化镓在汽车产业的应用,似乎正在“渐入佳境”。其中,碳化硅功率器件加速“上车”趋势已十分明朗,近年来,越来越多的新能源新车型导入了碳化硅技术,而在近期,星途品牌全新纯电SUV星纪元STERRAES、第二代AION V埃安霸王龙、鸿蒙智行首款豪华旗舰轿车享界S9、2025款海豹、2025款极氪007、岚图汽车旗下岚图知音SUV等搭载碳化硅的新车型密集发布,碳化硅和新能源汽车组“CP”已蔚然成风。
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    氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而,由于工作电压和长期可靠性的制约,这些器件的潜力并未得到充分发挥,主要在消费电子领域内竞争价格。近期,随着高压氮化镓器件的陆续推出,我们看到了它们在更广泛市场应用中的潜力。 远山半导体最近发布了新一代高压氮化镓功率器件,并在泰克先进半导体实验室进行了详尽的测试,这些测试结果为我们提供了对远山半导体氮化镓功率器件性能的全面
  • “鑫威源”实现高性能氮化镓激光芯片研制及产线通线试产
    据了解,2024年9月,武汉鑫威源电子科技有限公司内部传来喜讯,该企业在高性能氮化镓半导体激光器芯片方面取得重大技术突破,同时氮化镓半导体激光器芯片产线顺利完成通线试产。 武汉鑫威源是一家专注于氮化镓半导体激光器芯片的设计、开发与制造的高新技术企业,致力于推动国产氮化镓半导体激光器的产业化进程。在江夏区政府及相关部门的大力支持下,鑫威源公司完成了厂房建设。厂房位于江夏经开区大桥智能制造产业园,于2
  • 总投资超36亿,新增6个GaN项目
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    氮化镓行业最近很是热闹,英飞凌宣布实现了12吋晶圆突破;近日,国内外多家GaN也传来了项目、研发等新动态:● 冠鼎半导体:投资1.055亿人民币,推进第三代氮化镓功率半导体生产新建项目。● 华通芯电:旗下封装产线正式通线,专注于氮化镓射频功率器件模组的封装与测试。● 新镓能半导体:氮化镓功率芯片项目签约落户无锡惠山。
  • 揭秘氮化镓快充黑科技 ——浅析光耦与氮化镓快充技术的创新融合
    随着移动设备的普及和电动汽车的崛起,人们对于充电速度的需求越来越迫切。在这个背景下,氮化镓(GaN)快充技术应运而生,成为满足这一需求的创新解决方案。 氮化镓快充技术主要通过将氮化镓功率器件应用于充电器、电源适配器等充电设备中,以提高充电效率和充电速度。具体来说,氮化镓功率器件可以实现更高的功率转换效率,从而减少能量损耗,同时也能够支持更高的充电功率输出,使得充电速度得以显著提升。 光耦与氮化镓快
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    第三代半导体材料氮化镓,传来新消息:日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。
  • 200亿芯片独角兽,闯关IPO有多难?
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    又一个芯片明星独角兽奔赴IPO了。近日,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”)向港交所递交招股书,拟主板IPO上市,中金公司、招银国际为其联席保荐人。
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    08/29 10:45
  • ​AI服务器、人形机器人等引燃,氮化镓打响“翻身仗”!
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    从欢呼声到质疑声,GaN(氮化镓)近几年在功率半导体市场并非一路坦途,中间呈现出些许“雷声大雨点小”的态势,但GaN巨大的应用潜力一直毋庸置疑,用心挖掘其技术潜能并认真耕耘市场的企业深知,GaN只是还没到绽放的时机。
  • 什么是三代半?为什么大家都在聊这个
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    在现代科技迅速发展的背景下,半导体技术已成为推动全球经济和科技进步的核心力量。自从上世纪四十年代第一颗晶体管的诞生以来,半导体技术经历了翻天覆地的变化,从硅基元件到今天的复杂集成电路,每一次技术革新都极大推动了信息技术、消费电子、汽车、医疗等多个领域的革命。
  • 碳化硅/氮化镓:“国家队”已入场!
    碳化硅/氮化镓:“国家队”已入场!
    以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料被认为是当今电子电力产业发展的重要推动力,已在新能源汽车、光储充、智能电网、5G通信、微波射频、消费电子等领域展现出较高应用价值,并具有较大的远景发展空间。

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