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氮化镓功率IC

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  • 英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效
    继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。英飞凌在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展，这种晶圆直径为300㎜，厚度为20μm。厚度仅有头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μ
    1005
    2024/10/30
    半导体 英飞凌
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  • 产研：车规级氮化镓普及面临哪些难点？
    前言：车规级氮化镓的普及目前还处于非常前期的阶段，国产厂商正在加速布局，但后续前景非常看好。 从消费级到车规级，氮化镓（GaN）技术有何优势？ 作为电力电子领域的核心技术之一，基于GaN的电能转换技术在消费电子、数据中心等领域有广泛应用，这对提高电能的高效利用及实现节能减排起着关键作用。目前，GaN正在从低功率消费电子市场转向高功率数据中心、光伏逆变器、通信电源等市场。这些应用需要的电源具有更大的
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    2023/06/27
    GaN 氮化镓
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  • 简化低压氮化镓应用，英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201
    英诺赛科宣布推出SolidGaN系列100V半桥氮化镓功率芯片新品ISG3201。内部集成2颗100V/3.2mΩ增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，采用5mmx6.5mmx1.08mm LGA封装，支持独立的高低边PWM信号输入，可与绝大多数控制器匹配。是48V功率系统，48V无刷电机驱动器，48V轻混汽车的理想选择，如高性能大功率电源转换、电动工具、伺服电机、太阳能逆变器、双向逆变器和D类功放等应用。
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    2023/01/11
    英诺赛科 氮化镓功率IC
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