氧化镓_氧化镓资讯

氧化镓（Ga2O3）探测器是一种基于超宽禁带半导体材料的光电探测器，主要用于日盲紫外光的探测。其独特的物理化学特性使其在多个应用领域中展现出广泛的前景。探测器性能由于材料不同、结构不同、制备工艺以及应用场景的不同的区别会有较大的性能差异。而性能指标之间往往存在制约，例如暗电流和输出电流、灵敏度和响应度、可靠性和灵敏度等需要权衡和折中。对于性能表征也是如此，高响应度一定无法和高精度电流表征同时进行。

与非网编辑

676

11/12 09:04

探测器氧化镓

第四代半导体，初露锋芒

今年，镓、锗相关物出口管制触发多股涨停，第四代半导体发展初露锋芒。公开资料显示，镓和锗都是新兴的战略关键矿产，均已被列入国家战略性矿产名录中。两种金属矿产无论是在储量还是在出口上，中国均在全球占据领先地位。2022 年我国镓产品的出口数量大幅增长。海关总署数据表明，2022 年 1 至 11 月，我国累计出口镓产品 89.35 吨，比 2021 年同期增加 44.1%。

半导体产业纵横

5269

11/12 09:30

半导体材料氧化镓

半导体全面分析（九）：四代半，氧化镓，2025衬底外延，2030器件应用！

一般用禁带宽度来区分半导体代际，不知道禁带是啥的请移步半导体全面分析（一）：两大特性，三大政策，四大分类！

史晨星

2.4万

09/21 08:50

半导体材料氧化镓

浅谈光电探测器与图像传感器（四）

光电探测器是能够将光信号转化为电信号的器件，通常都是通过光电效应进行直接转化。其也通过其他信号进行间接转化，比如光-热-电，光-磁-电，光-声-电等。光电探测器广泛应用于通信、成像、传感和医学诊断等领域。 1. 按照波长分类光电探测器按照波长可以分为可见光探测器，红外探测器，紫外探测器，X射线探测器、高能粒子探测器等。可见光探测器其中可见光波段的范围是400-700nm，在消费类产品最为常见

Semlsee

3187

08/20 07:58

探测器 CMOS图像传感器

第四代半导体材料龙头又有新突破！

近日，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出6英寸β型氧化镓单晶。据了解，NCT成立于2015年6月，是一家专注研发和生产新一代半导体技术的公司。其由Tamura Corporation和AGC等合资成立，公司的主要研究方向为氧化镓材料。

化合物半导体市场

2676

2023/12/27

半导体材料氧化镓

产业调研：氧化镓产业链现状与未来趋势分析

引言在数字化和智能化趋势的推动下，半导体市场的发展热度持续攀升。特别是随着量子信息、人工智能等高新技术的不断发展，半导体新体系及其微电子等多功能器件技术也在迅速更新迭代。为了满足新的高性能和低成本的需求，行业内开始关注第四代半导体，其中最引人瞩目的就是氧化镓。这种材料具有许多优越的特性，被视为可能颠覆目前的化合物半导体市场，并让国产芯片商实现弯道超车的材料。但氧化镓也有不少挑战需要面对和克服。

李坚

1.1万

2023/08/08

SiC 碳化硅

第四代半导体氧化钾，被忽略的商机

三菱电机公司于7月30日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.（以下简称“NCT”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来业界热度一路飙升。然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料——氧化镓（Ga₂O₃），并将其视为“替代碳化硅和氮化镓”的新一代半导体材料的代表。

全球半导体观察

5989

2023/07/31

氧化镓

碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发

近期，媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉，进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业，创立于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料。

全球半导体观察

1543

2023/04/16

SiC 碳化硅

热点丨“第四代半导体” 迎重大突破！能否改变行业新技术？

随着信息时代的发展，量子信息、人工智能等高科技领域对于半导体的需求也是有更高要求，体积小、低功耗的第四代半导体将成为主力军。更为重要的是，目前第四代半导体领域全球国家都还在同一起跑线，因此，我国在第四代半导体的重大突破，有望助力芯片实现弯道超车，从而掀起一场资本盛宴。

AI芯天下

1611

2023/03/21

半导体材料氧化镓

国内第一！这颗6英寸氧化镓单晶击碎“卡脖子”

2月27日，中国电子科技集团有限公司（中国电科）宣布，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。

化合物半导体市场

1915

2023/03/04

SiC 碳化硅

中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来

据“中国电科”消息，中国电科46所氧化镓团队从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。

全球半导体观察

1068

2023/03/02

半导体材料氧化镓

今日要闻 | 利杨完成全球首颗北斗短报文SoC芯片的测试方案开发；中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备

利杨完成全球首颗北斗短报文SoC芯片的测试方案开发利扬芯片披露调研纪要显示，公司已完成全球首颗北斗短报文SoC芯片的测试方案开发并进入量产阶段，短报文芯片由战略合作伙伴西南集成设计研发，公司为该芯片独家提供晶圆级（CP）测试服务。预计北斗短报文芯片将陆续在中高端智能手机搭载，有助于提振低迷的智能手机消费市场。目前该芯片的测试技术服务对公司2022年营业收入贡献影响较小，对公司未来营业收入和盈利能

与非网记者

1741

2023/02/28

笔记本电脑 SoC芯片

第四代半导体，接力准备中？

近日，力积电与日本研发机构合作，开发出全球独家第四代氧化物半导体材料制程技术，可生产分辨率超过5000ppi的显示驱动芯片，突破既有元宇宙装置显示技术分辨率、亮度技术不足限制。力积电预计新制程技术的AR/VR产品可能在明年小量试产，将有机会成为全球第一家拥有此技术的厂商。

半导体产业纵横

1432

2023/02/06

半导体材料氧化镓

中国芯光荣的桂冠上，必有美国制裁的荆棘

8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）发布公告，将四项“新兴和基础技术”纳入新的出口管制，其中有半导体材料氧化镓和金刚石及专门用于3纳米及以下芯片设计的EDA/ECAD软件等。