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N531驱动电磁炉电路图,新老两种电磁炉IGBT驱动方式接线电路图
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2024/07/26
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2020/03/05
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汽车牵引应用中碳化硅功率模块的栅极驱动系统
安森美半导体
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2024/01/09
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GD3160,用于SiC MOSFET和IGBT的高级栅极驱动器
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2023/04/25
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非常见问题解答第225期:原来为硅MOSFET设计的DC-DC控制器能否用来驱动GaNFET?
作者:Kevin Thai,应用经理 问题 没有专门用于驱动GaNFET的控制器时,如何使用GaNFET设计四开关降压-升压DC-DC转换器? 回答 众所周知,GaNFET比较难驱动,如果使用原本用于驱动硅(Si) MOSFET的驱动器,可能需要额外增加保护元件。适当选择正确的驱动电压和一些小型保护电路,可以为四开关降压-升压控制器提供安全、一体化、高频率GaN驱动。 简介 在不断追求减小电路板尺
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01/06 10:39
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意法半导体推出的250W MasterGaN参考设计可加速实现紧凑、高效的工业电源
为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓(GaN)电源(PSU)的设计,意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装(SiP)的谐振转换器参考设计。 意法半导体的MasterGaN-SiP在一个封装内整合了GaN功率晶体管与开关速度和控制准确度优化的栅极驱动器。使用高集成度的系统级封装SiP代替采用多个分立元件的等效解决方案,有助于最大限度地提高电源的性能和可靠性,同时
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1677
2024/12/20
氮化镓
栅极驱动器
使用热插拔控制器增强系统可靠性
作者:Karl Audison Cabas,产品应用开发工程师 Ralph Clarenz Matocinos,产品应用开发助理工程师 Christian Cruz,产品应用高级工程师 摘要 本文探讨了在系统级应用中实施热插拔控制器的优势和好处。热插拔控制器提供了一种先进的解决方案,可无缝插入和拔出电子设备,确保持续运行、防止过流并进行实时监测。通过提供参考设计,用户可以更好地了解关键功能,从而增
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2024/12/13
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CMT8602X系列隔离式栅极驱动器,工业自动化的进阶密钥
CMT8602X 是灵活的双栅极驱动器,可以配置为适合各种电源和电机驱动拓扑结构,以及驱动多种类型的晶体管。
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2024/12/12
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英飞凌推出符合ASIL-D标准的新型汽车制动系统和电动助力转向系统三相栅极驱动器 IC
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于12 V无刷直流(BLDC)电机安全关键型应用的新型MOTIX™ TLE9189栅极驱动器 IC。通过这款三相栅极驱动器IC,英飞凌将满足线控解决方案对电机控制IC日益增长的需求。该驱动器IC符合AEC Q100 0级和ISO 26262(ASIL D)标准,非常适用于线控制动和线控转向系统,这些系统在未来将取消
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2024/11/26
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