晶盛机电

• 测量探头的 “温漂” 问题，都是怎么产生的，以及对于晶圆厚度测量的影响

  在半导体芯片制造的微观世界里，精度就是生命线，晶圆厚度测量的精准程度直接关联着最终产品的性能优劣。而测量探头的 “温漂” 问题，宛如精密时钟里的一粒微尘，虽小却能搅乱整个测量体系的精准节奏。深入探究其产生根源以及带来的连锁影响，对于半导体产业的高质量发展至关重要。一、“温漂” 问题的产生缘由1.环境温度波动半导体制造车间是一个复杂的热环境生态。一方面，大量设备持续运行散发可观热量，如光刻机、刻蚀机

  万智光学

  1748

  01/13 09:30

  碳化硅 晶圆

  
• 测量探头的 “温漂” 问题，对于晶圆厚度测量的实际影响

   一、“温漂” 现象的本质剖析测量探头的 “温漂”，指的是由于环境温度变化或探头自身在工作过程中的发热，导致探头的物理特性发生改变，进而使其测量精度出现偏差的现象。从原理上看，多数测量探头基于电学或光学原理工作，例如电学探头利用电信号的变化反映测量目标的参数，而温度的波动会影响电子元件的导电性、电容值等关键性能指标；光学探头的光路系统受温度影响，玻璃镜片的折射率、光学元件的热膨胀等因素都会使光线传

  万智光学

  935

  01/10 14:50

  碳化硅 晶圆

  
• 晶圆的环吸方案相比其他吸附方案，对于测量晶圆 BOW/WARP 的影响

  在半导体制造领域，晶圆的加工精度和质量控制至关重要，其中对晶圆 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过程中，而晶圆的环吸方案因其独特设计，与传统或其他吸附方案相比，对 BOW/WARP 测量有着显著且复杂的影响。 一、常见吸附方案概述 传统的吸附方案包括全表面吸附、边缘点吸附等。全表面吸附利用真空将晶圆整个底面紧密贴合在吸盘上，能提供稳定的吸

  万智光学

  1171

  01/09 08:24

  晶圆 晶盛机电

  
• 晶盛机电董事长曹建伟：12英寸大硅片设备机遇

  耗材产品的国产化十分关键

  芯谋研究

  1071

  2023/01/06

  大硅片 晶盛机电
• 晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体

  近日，晶盛机电通过官方微信公众号宣布，经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，8月12日，首颗8英寸（200mm）N型SiC（碳化硅）晶体成功出炉，晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代。

  芯智讯

  430

  2022/08/16

  半导体材料 晶盛机电
• 全自动金刚石生长炉研发成功，晶盛机电破解“终极半导体”材料

  近日，晶盛机电技术研发再次突破，成功研发出全自动金刚石生长炉。

  全球半导体观察

  224

  2022/03/09

  半导体材料 晶盛机电
• 晶盛机电：首台12英寸硬轴直拉炉成功生长出12英寸硅单晶

  7月20日，晶盛机电晶体实验室自主研发的国内首台12英寸硬轴直拉硅单晶炉成功生长出首颗12英寸硅单晶。

  与非网编辑

  228

  2021/07/22

  12英寸 晶盛机电
• 晶盛机电：12英寸单晶硅生长炉及部分加工设备已实现批量销售

  近日，晶盛机电在接受机构调研时表示，公司完善了以单晶硅生长、切片、抛光、外延四大核心装备为主的半导体硅材料设备体系，目前基本实现8英寸晶片端长晶到加工的全覆盖，且已实现量产和批量出货。

  与非网编辑

  154

  2021/07/19

  12英寸 单晶硅

正在努力加载...