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测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于晶圆厚度测量的影响
在半导体芯片制造的微观世界里,精度就是生命线,晶圆厚度测量的精准程度直接关联着最终产品的性能优劣。而测量探头的 “温漂” 问题,宛如精密时钟里的一粒微尘,虽小却能搅乱整个测量体系的精准节奏。深入探究其产生根源以及带来的连锁影响,对于半导体产业的高质量发展至关重要。一、“温漂” 问题的产生缘由1.环境温度波动半导体制造车间是一个复杂的热环境生态。一方面,大量设备持续运行散发可观热量,如光刻机、刻蚀机
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01/13 09:30
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测量探头的 “温漂” 问题,对于晶圆厚度测量的实际影响
一、“温漂” 现象的本质剖析测量探头的 “温漂”,指的是由于环境温度变化或探头自身在工作过程中的发热,导致探头的物理特性发生改变,进而使其测量精度出现偏差的现象。从原理上看,多数测量探头基于电学或光学原理工作,例如电学探头利用电信号的变化反映测量目标的参数,而温度的波动会影响电子元件的导电性、电容值等关键性能指标;光学探头的光路系统受温度影响,玻璃镜片的折射率、光学元件的热膨胀等因素都会使光线传
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晶圆的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量晶圆 BOW/WARP 的影响
在半导体制造领域,晶圆的加工精度和质量控制至关重要,其中对晶圆 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过程中,而晶圆的环吸方案因其独特设计,与传统或其他吸附方案相比,对 BOW/WARP 测量有着显著且复杂的影响。 一、常见吸附方案概述 传统的吸附方案包括全表面吸附、边缘点吸附等。全表面吸附利用真空将晶圆整个底面紧密贴合在吸盘上,能提供稳定的吸
万智光学
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01/09 08:24
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2023/01/06
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晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体
近日,晶盛机电通过官方微信公众号宣布,经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关,8月12日,首颗8英寸(200mm)N型SiC(碳化硅)晶体成功出炉,晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代。
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2022/08/16
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