晶圆_晶圆资讯

碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案，对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响

一、引言随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用，对其衬底质量的检测愈发关键。BOW（翘曲度）和 WARP（弯曲度）是衡量碳化硅衬底质量的重要参数，准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要。而不同的吸附方案会对测量结果产生不同程度的影响。二、常见吸附方案概述在碳化硅衬底测量中，常见的吸附方案包括真空吸附、静电吸附等。真空吸附通过产生负压将衬底固定，操作相对简单，但可能存在吸附不均匀的情况。静电吸附则利用

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01/23 07:22

碳化硅晶圆

碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案，对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响

测量探头的 “温漂” 问题，都是怎么产生的，以及对于氮化镓衬底厚度测量的影响

在半导体产业这片高精尖的领域中，氮化镓（GaN）衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料，正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而，氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战 —— 测量探头的 “温漂” 问题。深入探究 “温漂” 的产生根源，以及剖析其给氮化镓衬底厚度测量带来的全方位影响，对于保障半导体制造工艺的高质量推进有着举足轻重的意义。一、“温漂” 现象的滋生土壤1，

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01/22 07:33

碳化硅晶圆

特氟龙夹具的晶圆夹持方式，相比真空吸附方式，对测量晶圆 BOW 的影响

在半导体制造领域，晶圆作为芯片的基础母材，其质量把控的关键环节之一便是对 BOW（弯曲度）的精确测量。而在测量过程中，特氟龙夹具的晶圆夹持方式与传统的真空吸附方式有着截然不同的特性，这些差异深刻影响着晶圆 BOW 的测量精度与可靠性，对整个半导体工艺链的稳定性起着不可忽视的作用。一、真空吸附方式剖析真空吸附方式长期以来在晶圆测量领域占据主导地位。它借助布满吸盘表面的微小气孔，通过抽真空操作，使晶圆

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01/21 07:23

碳化硅晶圆

测量探头的 “温漂” 问题，对于氮化镓衬底厚度测量的实际影响

在半导体制造这一微观且精密的领域里，氮化镓（GaN）衬底作为高端芯片的关键基石，正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而，氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁 —— 测量探头的 “温漂” 问题。这一看似细微的现象，实则对氮化镓衬底厚度测量产生着诸多深远且实际的影响，关乎整个半导体制造工艺的成败。一、“温漂” 现象的内在成因测量探头的 “温漂”，本质上源于温度

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01/20 09:30

碳化硅晶圆

不同的氮化镓衬底的吸附方案，对测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响

在当今高速发展的半导体产业浪潮中，氮化镓（GaN）衬底宛如一颗耀眼的新星，凭借其卓越的电学与光学性能，在众多高端芯片制造领域，尤其是光电器件、功率器件等方向，开拓出广阔的应用天地。然而，要想充分发挥氮化镓衬底的优势，确保其 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）的精准测量至关重要，因为这直接关联到后续芯片制造工艺的良率与性能表现。不同的吸附方案恰似一双双各异的 “巧手”，在测量氮化镓衬底 BOW/

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01/17 08:04

碳化硅晶圆

氮化镓衬底的环吸方案相比其他吸附方案，对于测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响

在半导体领域的璀璨星河中，氮化镓（GaN）衬底正凭借其优异的性能，如高电子迁移率、宽禁带等特性，在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角，成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言，其 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）的精确测量是保障后续芯片制造工艺精准实施的重要前提，不同的吸附方案在这一测量环节中扮演着截然不同的角色，其中环吸方案更是以独特优势与其他方案形成鲜明对比，对测量结果产

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碳化硅晶圆

氮化镓衬底的环吸方案相比其他吸附方案，对于测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响

测量探头的 “温漂” 问题，都是怎么产生的，以及对于碳化硅衬底厚度测量的影响

在半导体制造这一高精尖领域，碳化硅衬底作为支撑新一代芯片性能飞跃的关键基础材料，其厚度测量的准确性如同精密机械运转的核心齿轮，容不得丝毫差错。然而，测量探头的 “温漂” 问题却如隐匿在暗处的 “幽灵”，悄然干扰着测量进程，深刻影响着碳化硅衬底厚度测量的精度与可靠性。探究 “温漂” 的产生根源以及剖析其带来的全方位影响，对于半导体产业的稳健发展至关重要。一、“温漂” 现象的滋生源头1.环境温度的波动

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01/15 08:11

碳化硅晶圆

测量探头的 “温漂” 问题，对于碳化硅衬底厚度测量的实际影响

在半导体制造的微观世界里，碳化硅衬底作为新一代芯片的关键基石，其厚度测量的精准性如同精密建筑的根基，不容有丝毫偏差。然而，测量探头的 “温漂” 问题却如同一股暗流，悄然冲击着这一精准测量的防线，给碳化硅衬底厚度测量带来诸多实际且棘手的影响。一、“温漂” 现象的内在根源测量探头的 “温漂”，本质上是由于温度因素致使探头自身物理特性发生改变，进而引发测量误差的现象。一方面，环境温度的波动是 “温漂”

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01/14 09:22

碳化硅晶圆

碳化硅衬底的环吸方案相比其他吸附方案，对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响

在半导体领域，随着碳化硅（SiC）材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角，成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择，对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中，碳化硅衬底的 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）测量精度直接影响后续芯片加工工艺的良率与性能，而不同的吸附方案在这一测量过程中扮演着举足轻重的角色，环吸方案更是以其独特性与其他吸附方案形成鲜明对比，对测量结果产生着显著

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01/13 14:20

碳化硅晶圆

碳化硅衬底的环吸方案相比其他吸附方案，对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响

测量探头的 “温漂” 问题，都是怎么产生的，以及对于晶圆厚度测量的影响

在半导体芯片制造的微观世界里，精度就是生命线，晶圆厚度测量的精准程度直接关联着最终产品的性能优劣。而测量探头的 “温漂” 问题，宛如精密时钟里的一粒微尘，虽小却能搅乱整个测量体系的精准节奏。深入探究其产生根源以及带来的连锁影响，对于半导体产业的高质量发展至关重要。一、“温漂” 问题的产生缘由1.环境温度波动半导体制造车间是一个复杂的热环境生态。一方面，大量设备持续运行散发可观热量，如光刻机、刻蚀机

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碳化硅晶圆

测量探头的 “温漂” 问题，对于晶圆厚度测量的实际影响

一、“温漂” 现象的本质剖析测量探头的 “温漂”，指的是由于环境温度变化或探头自身在工作过程中的发热，导致探头的物理特性发生改变，进而使其测量精度出现偏差的现象。从原理上看，多数测量探头基于电学或光学原理工作，例如电学探头利用电信号的变化反映测量目标的参数，而温度的波动会影响电子元件的导电性、电容值等关键性能指标；光学探头的光路系统受温度影响，玻璃镜片的折射率、光学元件的热膨胀等因素都会使光线传

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01/10 14:50

碳化硅晶圆

晶圆的环吸方案相比其他吸附方案，对于测量晶圆 BOW/WARP 的影响

在半导体制造领域，晶圆的加工精度和质量控制至关重要，其中对晶圆 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过程中，而晶圆的环吸方案因其独特设计，与传统或其他吸附方案相比，对 BOW/WARP 测量有着显著且复杂的影响。一、常见吸附方案概述传统的吸附方案包括全表面吸附、边缘点吸附等。全表面吸附利用真空将晶圆整个底面紧密贴合在吸盘上，能提供稳定的吸

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01/09 08:24

晶圆晶盛机电

什么是Dummy Wafer（填充片）

Dummy Wafer，中文称为填充片，是在晶圆制造过程中专门用于填充机台设备的晶圆，通常不会用于实际生产，也不会直接作为成品出售。其主要作用是为满足设备运行的特定要求或约束，确保设备的工艺性能稳定，同时优化资源利用率并减少生产风险。

老虎说芯

3667

2024/11/26

晶圆晶圆制造

无图形晶圆的颗粒检测原理

学员问：在裸晶圆上，颗粒的检测是如何实现的？比较经典的颗粒检测机台有哪些？颗粒检测用什么光源？激光。激光束扫描旋转中的晶圆表面，在无颗粒的光滑表面上，激光束发生镜面反射，当激光遇到颗粒时，部分入射光线会向各个方向散射。在暗场照明中，散射光可以直接检测；在明场照明中，可以通过检测镜面反射光强度的变化来表示。

TOM聊芯片智造

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2024/11/20

晶圆晶圆检测

CP测试、FT测试、WAT测试之间的区别

集成路测试中的CP（Chip Probing）、FT（Final Test）和WAT（Wafer Acceptance Test）是制造过程中不可或缺的步骤，它们有着不同的目标和测试对象。

老虎说芯

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2024/11/06

晶圆集成

为何晶圆厂里的女性禁止化妆？揭秘这背后隐藏的良率杀手！

这段时间看到了太多的 Intel 的负面新闻，没想到曾经高不可攀的芯片巨头竟然要裁员15000人。我顿时不由自主地想起了很多年前遇到的一位Intel 负责人，她是不是也被裁员了呢？为什么对她的记忆如此深刻，因为我以前遇到的厂商担当都是男性，而她却是唯一的女性，而且她和普通日本职业女性不一样，她从不化妆。女性为什么不化妆！也许有她自身的一部分原因。但在这个化妆“邪术”盛行的时代里，不化妆的女性确实引人侧目。

芯智讯

1013

2024/10/25

晶圆晶圆厂

ASM推出全新PE2O8碳化硅外延机台

全新推出的PE2O8碳化硅外延机台是对行业领先的ASM单晶片碳化硅外延机台产品组合（包含适用于6英寸晶圆的 PE1O6 和适用于8英寸晶圆的 PE1O8）的进一步增强。该机台采用独立双腔设计，兼容6英寸和8英寸晶圆，可实现增加产量的同时，降低成本。 2024年10月16至18日，ASM先晶半导体亮相于深圳举办的首届湾芯展（SEMiBAY 2024）。在国际化合物半导体产业发展论坛上，ASM推出了最

与非网编辑

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2024/10/17

碳化硅晶圆