晶圆_晶圆是什么意思

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WLCSP36, 芯片级尺寸化晶圆级封装

恩智浦
1876

2023/04/25
封装晶圆封装技术
WLCSP72晶圆级芯片级封装

恩智浦
1762

2023/04/25
晶圆芯片封装晶圆封装

文章

碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案，对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
一、引言随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用，对其衬底质量的检测愈发关键。BOW（翘曲度）和 WARP（弯曲度）是衡量碳化硅衬底质量的重要参数，准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要。而不同的吸附方案会对测量结果产生不同程度的影响。二、常见吸附方案概述在碳化硅衬底测量中，常见的吸附方案包括真空吸附、静电吸附等。真空吸附通过产生负压将衬底固定，操作相对简单，但可能存在吸附不均匀的情况。静电吸附则利用

万智光学

261

01/23 07:22

碳化硅晶圆
测量探头的 “温漂” 问题，都是怎么产生的，以及对于氮化镓衬底厚度测量的影响
在半导体产业这片高精尖的领域中，氮化镓（GaN）衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料，正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而，氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战 —— 测量探头的 “温漂” 问题。深入探究 “温漂” 的产生根源，以及剖析其给氮化镓衬底厚度测量带来的全方位影响，对于保障半导体制造工艺的高质量推进有着举足轻重的意义。一、“温漂” 现象的滋生土壤1，

万智光学

274

01/22 07:33

碳化硅晶圆
特氟龙夹具的晶圆夹持方式，相比真空吸附方式，对测量晶圆 BOW 的影响
在半导体制造领域，晶圆作为芯片的基础母材，其质量把控的关键环节之一便是对 BOW（弯曲度）的精确测量。而在测量过程中，特氟龙夹具的晶圆夹持方式与传统的真空吸附方式有着截然不同的特性，这些差异深刻影响着晶圆 BOW 的测量精度与可靠性，对整个半导体工艺链的稳定性起着不可忽视的作用。一、真空吸附方式剖析真空吸附方式长期以来在晶圆测量领域占据主导地位。它借助布满吸盘表面的微小气孔，通过抽真空操作，使晶圆

万智光学

205

01/21 07:23

碳化硅晶圆
测量探头的 “温漂” 问题，对于氮化镓衬底厚度测量的实际影响
在半导体制造这一微观且精密的领域里，氮化镓（GaN）衬底作为高端芯片的关键基石，正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而，氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁 —— 测量探头的 “温漂” 问题。这一看似细微的现象，实则对氮化镓衬底厚度测量产生着诸多深远且实际的影响，关乎整个半导体制造工艺的成败。一、“温漂” 现象的内在成因测量探头的 “温漂”，本质上源于温度

万智光学

226

01/20 09:30

碳化硅晶圆
不同的氮化镓衬底的吸附方案，对测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在当今高速发展的半导体产业浪潮中，氮化镓（GaN）衬底宛如一颗耀眼的新星，凭借其卓越的电学与光学性能，在众多高端芯片制造领域，尤其是光电器件、功率器件等方向，开拓出广阔的应用天地。然而，要想充分发挥氮化镓衬底的优势，确保其 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）的精准测量至关重要，因为这直接关联到后续芯片制造工艺的良率与性能表现。不同的吸附方案恰似一双双各异的 “巧手”，在测量氮化镓衬底 BOW/

万智光学

419

01/17 08:04

碳化硅晶圆

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