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晶台推出SSOP4封装晶体管光耦KL3H4，集电极-发射极击穿电压≥80V，电流转换比≥20%

KL3H4由苏州晶台光电有限公司开发的一款采用交流输入的晶体管光耦，集成了两个反向并联的红外发射二极管与光电晶体管，采用紧凑的SSOP4封装。功能图 Functional Diagram 产品特点 Product Features 电流转换比(CTR)范围: ≥20% (IF=±1mA, VCE=5V, Ta=25℃)；输入-输出隔离电压 (VISO=3750 Vrms )；集电极-发射极击

晶台光耦

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晶体管光耦

浅析国产晶体管输出光耦合器

国产晶体管输出光耦合器是现代电子产品中的关键组件，旨在在系统不同部分之间传输信号时提供电气隔离。这些光耦合器专为满足各种应用需求而设计，对于保护低功率电路免受高压部分的影响、最大限度地减少噪声干扰和提高整体系统稳定性至关重要。本文探讨了国产晶体管输出光耦合器的基本功能、优点和行业应用。

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11/01 16:59

晶体管光耦

光耦知识分享 | 晶体管光耦与可控硅光耦的区别

晶体管光耦和可控硅光耦是两种常见的光电耦合器件，它们在电子电路中扮演着重要的角色。下面将介绍晶体管光耦和可控硅光耦的区别以及它们的主要应用。结构区别晶体管光耦通常由一个发光二极管（LED）和一个光敏晶体管（光控晶体管）组成，用于将光信号转换为电信号。可控硅光耦包含一个LED和一个可控硅器件（如双向可控硅或三端可控硅），用于实现功率控制和开关控制功能。功能区别晶体管光耦主要用于信号隔离和传

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晶体管光耦

光耦知识分享 | 探讨光耦在微处理器及相关电路中创新应用与实践

微处理器(MCU)是一种集成电路芯片，用于执行计算机程序指令和处理数据。它是计算机系统的核心部件，负责执行各种计算、逻辑和控制任务。微处理器在各种电子设备中都有广泛的应用，包括计算机、手机、智能家居设备、工业控制系统等。光耦在微处理器及相关电路中的应用主要是用于信号电平转换、电气隔离和故障保护。以下是光耦在微处理器中的一些常见应用场景：信号电平转换：微处理器常常需要与外部设备进行通信，但外部设

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10/29 07:29

晶体管光耦

光耦知识分享 | AC晶体管光耦在照明控制领域的应用与选型推荐

随着智能建筑与智能家居技术的迅猛崛起，照明控制技术亦随之日新月异。传统的照明控制手段已难以适应现代化、智能化的新需求。在这样的技术革新浪潮中，AC晶体管光耦以其卓越的性能和可靠性，成为了照明控制领域中不可或缺的一环。AC晶体管光耦不仅具有出色的高低压电路隔离功能，还能有效屏蔽电磁干扰，确保整个系统的安全、稳定运行。 AC晶体管光耦在照明控制中的应用调光控制：现代照明系统追求的不仅是亮度的简单调节

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10/22 08:50

晶体管光耦

光耦知识分享 | 深入探讨AC晶体管光耦与DC晶体管光耦的结构及性能差异

在快速发展的现代电子技术中，光耦凭借其卓越的电气隔离和信号传输能力，成为了电路设计中的关键角色。晶体管光耦主要被细分为AC型和DC型，两者虽在功能上相似，但结构设计与性能特点上却大相径庭。本文旨在深入探讨这两种光耦的结构与性能差异，为您的选择提供有力支持。 AC晶体管光耦的结构 AC晶体管光耦专为交流信号处理而生，其结构独特且复杂。核心部件为双向LED，它由两个反向并联的发光二极管（LED）构成，

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10/21 09:26

晶体管光耦

产品推介——AC晶体管光耦KL814

KL814产品系列，由苏州晶台光电有限公司研发生产的一款采用交流输入的晶体管光耦。它结合了两个反向并联的红外发射二极管与一个光电晶体管，构成了一个高效且稳定的光电耦合器。产品特点Product features◆交流输入响应◆电流传输比 (CTR：IF=±1mA、VCE=5V时最小值为20%)◆宽工作温度范围：-55~110ºC◆逻辑门输出◆输入与输出间高隔离电压(Viso=5000 V rms)

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10/19 09:00

晶体管光耦

光耦合器晶体管在现代工业自动化中的作用

光耦合器晶体管是现代工业自动化中必不可少的组件，在确保信号完整性和保护敏感的低功耗控制系统方面发挥着关键作用。随着行业越来越依赖自动化技术来提高效率和精度，对高压机械和低压控制电路之间可靠隔离的需求变得至关重要。光耦合器晶体管提供这种电气隔离，保护控制系统免受潜在损坏的电压尖峰的影响，并确保工业自动化过程的平稳运行。

克里雅半导体科技

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10/18 16:02

晶体管光耦

光耦知识分享：如何解读晶体管光耦CTR值

晶体管光耦的CTR值（Current Transfer Ratio，即电流传递比）是指光耦的输出晶体管电流与输入发光二极管电流之间的比值，通常以百分比或者倍数表示。CTR值较高的光耦，在传输过程中的适应性更广；CTR值较低的光耦，信号的准确性和稳定性较高，使用比较灵活。 CTR值的解读可以从以下几个方面进行：灵敏度： CTR值越高，表示光耦对输入光信号的灵敏度越高，能够更有效地转换光信号为电流信

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10/11 07:49

晶体管光耦

光耦知识分享：晶体管光耦介绍及特点

晶体管光耦（Transistor Output Optocoupler）是一种用于隔离和传输电信号的器件，主要由发光二极管（LED）、光电二极管（Phototransistor）和输出晶体管（Transistor）组成。其工作原理基于光电效应和晶体管的放大特性。晶体管光耦工作原理发光二极管（LED）被外加电压激活时，产生光信号。光信号照射到光电二极管（Phototransistor）上，使其

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10/09 09:34

晶体管光耦

功率器件-2024年三季度供需商情报告

《功率器件-2024年三季度供需商情报告》核心观点：汽车需求减弱，拖累功率器件市场；供应商以降本为目标探索新的机遇；整体交货周期仍在下降。部分内容：功率器件市场处于持续的调整期。三季度，二极管的需求有所下降，汽车销量放缓是疲软表现的原因之一；晶体管的需求也呈现下滑态势，消费电子市场低迷是原因之一。分立器件的总体价格走势渐趋平稳，二极管、晶体管的四方维商品价格指数分别从6月的96.47、210.

史德志

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10/08 10:00

二极管晶体管

功率半导体器件热阻 | 数据表你真的看明白了吗？

热阻（Thermal Resistance，Rθ）是热从热物体流向冷物体时遇到的阻力。每种材料及其界面都有热阻，其数值可以用来计算热量从热源中排出的速率。在一个集成器件中，热的来源总是半导体的结，而超过了结的最高工作温度将导致灾难性的故障。

文立

8.9万

09/23 09:13

与非观察半导体

探索光耦：电流传输比（CTR）——了解光耦的重要参数

在电子设计和元器件选型的过程中，电流传输比（CTR）是一个至关重要的参数，尤其是在光耦器件中。CTR不仅决定了光耦的性能，还会影响整体电路的稳定性和效率。那究竟什么是电流传输比？它对电路设计有何影响呢？电流传输比是什么？电流传输比（CTR）是指光耦内部输入与输出之间的电流转换效率。具体来说，它是输出侧集电极电流Ic与输入侧LED电流IF的比值，通常以百分比表示。CTR的计算公式如下：简单理解

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09/21 09:32

晶体管光耦

技术前沿：“环抱”晶体管与“三明治”布线

在半导体制程技术的前沿，英特尔正稳步推进其“四年五个制程节点”计划，加速实现在2025年推出尖端的制程节点Intel 18A。今天，我们将介绍英特尔的两项突破性技术：RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。这两项技术首次成功集成于Intel 20A制程节点，也将用于Intel 18A。 RibbonFET：栅极“环抱”晶体管通过RibbonFET晶体管，英特尔实现了全

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09/12 07:26

英特尔晶体管

【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研，共探集成电路的创新之路

随着人工智能和大数据技术的飞速发展，对算力和存储的需求日益增长。传统的计算架构逐渐显露出局限性，这促使学术界和产业界开始探索新的计算架构和信息器件。在后摩尔时代，铁电晶体管（FeFET）作为一种新型的信息器件，因其在存储和计算领域的潜在应用而备受关注。泰克科技与北京大学集成电路学院联合举办了一场学术交流访谈会，旨在探讨高耐久性氧化铪基铁电晶体管（FeFET）器件及其在集成电路领域的应用前景。在这

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09/11 07:06

晶体管大数据

Nexperia现提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封装的汽车级小信号MOSFET

Nexperia今日宣布推出采用微型DFN封装的单和双小信号MOSFET器件，分别采用DFN1110D-3和DFN1412-6封装，且符合汽车可靠性标准。特别是DFN1110D-3封装得到了越来越广泛的应用，在用于汽车应用的晶体管和MOSFET的行业中成为“基准”封装。 DFN1110D-3和DFN1412-6属于无引脚封装，具有出色的热性能，从结到环境的热阻(Rthj-s )降低了近50%，并采

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09/11 07:04

MOSFET 晶体管

英特尔：最新节点上的产品设计和工艺准备进展顺利，已具备更早地过渡到Intel 18A的能力

英特尔即将实现“四年五个制程节点”计划，将提前把工程资源从Intel 20A投入到Intel 18A，按计划于2025年推出Intel 18A。 Intel 18A在晶圆厂里的生产良好，良率表现优秀，基于Intel 18A的产品已上电运行并顺利启动操作系统。目前，Intel 18A的缺陷密度已经达到D0级别，小于0.40。今年7月，英特尔发布了Intel 18A 制程节点上的设计套件（PDK 1

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09/06 07:53

英特尔半导体

强势入局芯粒技术链东方晶源PanSys产品重磅发布

随着芯片制程不断逼近物理极限，摩尔定律的延续将更依赖于系统级优化和工艺革新。基于先进封装技术的芯粒（Chiplet）系统是除晶体管尺寸微缩之外，获取高性能芯片的另一个重要途径。然而，芯粒系统集成不是一个简单的堆叠过程，其设计面临巨大的挑战和困境。由于芯粒间的密集排布导致电磁、散热、翘曲问题突出且互相关联，为此必须通过大规模、精准高效的多物理场耦合仿真来驱动芯粒系统设计，预测并调控工艺、成本和良率。

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08/30 07:19

eda 晶体管

简述半导体原理——晶体管家族的核心工作机制

在电力电子行业中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）无疑是广为人知的明星器件。然而，当我们面对基于GaN（氮化镓）材料的HEMT（高电子迁移率晶体管）技术时，可能会感到些许陌生。为了更全面地了解这一领域，让我们对晶体管家族的谱系进行一次详尽的梳理，如图1所示，这样我们能更清晰地把握它们之间的关系与差异。