加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入

晶体管

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等,有时特指双极型器件),具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电信号来控制自身的开合,所以开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等,有时特指双极型器件),具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电信号来控制自身的开合,所以开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。收起

查看更多

电路方案

查看更多

设计资料

查看更多
  • 英特尔IEDM 2024大晒封装、晶体管、互连等领域技术突破
    英特尔IEDM 2024大晒封装、晶体管、互连等领域技术突破
    在IEDM 2024(2024年IEEE国际电子器件会议)上,英特尔代工展示了包括先进封装、晶体管微缩、互连缩放等在内的多项技术突破,以助力推动半导体行业在下一个十年及更长远的发展。 英特尔通过改进封装技术将芯片封装中的吞吐量提升高达100倍,探索解决采用铜材料的晶体管在开发未来制程节点时可预见的互连微缩限制,并继续为先进的全环绕栅极(GAA)晶体管及其它相关技术定义和规划晶体管路线图。 这些技术
  • 半导体未来三大支柱:先进封装、晶体管和互连
    半导体未来三大支柱:先进封装、晶体管和互连
    英特尔在前沿技术领域的探索和布局具有行业标杆意义,其发布的技术路线图和成果为半导体行业提供了重要参考方向。 在IEDM 2024大会上,英特尔发布了7篇技术论文,展示了多个关键领域的创新进展。这些技术涵盖了从FinFET到2.5D和3D封装(EMIB、Foveros、Foveros Direct),即将在Intel 18A节点应用的PowerVia背面供电技术,以及全环绕栅极(GAA)晶体管Rib
  • 应对AI算力需求,芯片代工下一个十年的关键看点
    随着行业朝着到2030年在单个芯片上实现一万亿个晶体管的目标前进,晶体管和互连微缩技术的突破以及未来的先进封装能力正变得非常关键,以满足人们对能效更高、性能更强且成本效益更高的计算应用(如AI)的需求。
  • 英特尔展示互连微缩技术突破性进展
    英特尔展示互连微缩技术突破性进展
    在IEDM2024上,英特尔代工的技术研究团队展示了晶体管和封装技术的开拓性进展,有助于满足未来AI算力需求。 IEDM 2024(2024年IEEE国际电子器件会议)上,英特尔代工展示了多项技术突破,助力推动半导体行业在下一个十年及更长远的发展。具体而言,在新材料方面,减成法钌互连技术(subtractive Ruthenium)最高可将线间电容降低25%1,有助于改善芯片内互连。英特尔代工还率
  • 意法半导体推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET
    意法半导体推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET
    意法半导体推出了标准阈值电压 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管,新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力,适用于非逻辑电平控制的应用场景。 工业级晶体管STL300N4F8 和 车规晶体管STL305N4F8AG 的额定漏极电流高于300A,最大导通电阻 RDS(on)为1mΩ,可在高功率应用中实现出色的能效。动态性能得到了改进,65nC(典型值)