加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入
登录/注册
立即注册,领取新人专属福利!

封装

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

封装,Package,是把集成电路装配为芯片最终产品的过程,简单地说,就是把铸造厂生产出来的集成电路裸片(Die)放在一块起到承载作用的基板上,把管脚引出来,然后固定包装成为一个整体。作为动词,“封装”强调的是安放、固定、密封、引线的过程和动作;作为名词,“封装”主要关注封装的形式、类别,基底和外壳、引线的材料,强调其保护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。

封装,Package,是把集成电路装配为芯片最终产品的过程,简单地说,就是把铸造厂生产出来的集成电路裸片(Die)放在一块起到承载作用的基板上,把管脚引出来,然后固定包装成为一个整体。作为动词,“封装”强调的是安放、固定、密封、引线的过程和动作;作为名词,“封装”主要关注封装的形式、类别,基底和外壳、引线的材料,强调其保护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。收起

查看更多

电路方案

查看更多

设计资料

查看更多
  • Nexperia推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200 V SiC MOSFET
    Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色,采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑,尺寸仅为14 mm ×18.5 mm,巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力,确保优异的散热效果。此次新品发布精准满足了众多高功率(工业)应用领域对分立
    Nexperia推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200 V SiC MOSFET
  • 如何选择合适的MDD整流二极管封装?DIP、SMA、DO-41各有何优劣?
    在电子设计中,MDD整流二极管的封装选择直接影响电路的性能、可靠性和成本。某工业电源项目因封装选型不当,导致整流二极管温升超标,最终引发批量失效。MDD本文通过对比DIP、SMA、DO-41等常见封装,为工程师提供选型指南。 一、封装选型的核心考量因素 功率耗散能力 封装热阻(RθJA)决定散热性能,影响最大工作电流。 案例:TO-220封装的1N5408可承受3A电流,而DO-41封装的1N40
    如何选择合适的MDD整流二极管封装?DIP、SMA、DO-41各有何优劣?
  • 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装, 在提升效率的同时简化设计
    目前,许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展,实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势,全球功率系统和领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)于 2024年9月推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5产品系列,这是首款击穿电压达到2000 V的碳化硅二极管分立器件。该产品系列目前扩展到TO-247-2
    英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装,  在提升效率的同时简化设计
  • 划片机在Micro-LED芯片封装中的应用与技术革新
    随着Micro-LED显示技术向更小尺寸、更高集成度发展,其制造工艺对精密度和效率的要求日益严苛。划片机作为半导体制造中的关键设备,在Micro-LED芯片封装中扮演着核心角色。本文结合行业动态与技术进展,探讨划片机在Micro-LED领域的应用现状及未来趋势。 一、Micro-LED封装的核心挑战与划片机的技术定位. Micro-LED芯片的特征尺寸通常在100微米以下,甚至达到0.1-10微米
    划片机在Micro-LED芯片封装中的应用与技术革新
  • AMEYA360代理:罗姆650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小,散热性能出色,还具有优异的电流容量和开关特性,因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次,ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商(OSAT)拥有丰富业绩的日月新半导体(威
    509
    02/17 07:14