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在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项
作者:Frederik Dostal,电源管理专家 摘要 本文详细讨论了GaN技术,解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关,介绍了电路示例,并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且,文中展示了LTspice®工具,以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后,展望了GaN技术的未来。 简介 宽禁带技术在开关模式电源中越来越受欢迎。如果电路设计人员有兴趣在未来设计中使用这项相对较新的技
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316
12/15 11:12
宽禁带半导体
GaN技术
【对话前沿专家】香港科技大学黄文海教授谈氧化镓器件的突破与展望
在超宽禁带半导体领域,氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。我们有幸与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授,围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。 香港科技大学在氧化镓研究领域取得了显著的成果,涵盖了材料生长、器件设计、性能优化和应用开发等多个方面。通过与国际科研机构和企业的合作,港科大团队不仅推动了氧化镓技术的发展,也为相关领域的应用提供了重要的技术支持。 黄文海教
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785
04/25 14:18
电力电子
宽禁带半导体
是德科技在宽禁带半导体裸片上实现动态测试
是德科技(NYSE: KEYS )增强了其双脉冲测试产品组合,使客户能够从宽禁带(WBG)功率半导体裸芯片的动态特性的精确和轻松测量中受益。在测量夹具中实施新技术最大限度地减少了寄生效应,并且不需要焊接到裸芯片上。这些夹具与是德科技的两个版本的双脉冲测试仪兼容。 是德科技在宽禁带半导体裸片上实现动态测试 WBG功率半导体器件对于构建电动汽车、可再生能源和数据中心等应用的高效、稳定的电力电子设备至关
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521
03/21 08:43
数据中心
功率半导体
宽禁带半导体材料企业天岳先进申请赴港IPO
2月25日,宽禁带半导体材料企业天岳先进发布公告,正在进行申请境外公开发行股票(H 股)并在香港联合交易所有限公司主板上市的相关工作。此次天岳先进申报港股IPO的募集资金,拟用于扩张8英寸或更大尺寸碳化硅衬底产能、持续加强研发能力等。
中国电子报
1030
02/26 10:16
IPO
宽禁带半导体
SiC SBD的振荡 Oscillation of SiC SBD
让我们开始今天的话题,宽禁带半导体(这里主要就SiC展开)中普遍易于硅基的振荡。
Disciple
1167
01/21 11:23
宽禁带半导体
SiC SBD
宽禁带半导体“渐入佳境”
随着微波射频、高效功率电子和光电子等新需求的快速发展,宽禁带半导体材料对推动半导体产业发展的重要性日益凸显。尤其是伴随人工智能、新能源汽车、物联网等新兴领域的进一步发展,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体需求逐渐攀升,宽禁带半导体在技术推进、产品创新、行业布局上都迎来了新的变化。
中国电子报
2433
2024/11/18
氮化镓
半导体材料
融资8000万美元!从斯坦福走出的半导体激光加工技术
近日,半导体激光加工公司Halo Industries,Inc.宣布,获 8000 万美元 B 轮融资(折合人民币约5.81亿元)。本轮融资由美国创新技术基金(USIT)牵头,8VC、SAIC跟投。据媒体报道,新一轮融资将使 Halo Industries公司的总市值达到 3 亿美元。
DT半导体
1269
2024/08/13
宽禁带半导体
半导体激光器
凭借 800V 电动汽车动力总成设计解决“里程焦虑”问题
电动汽车 (EV) 普及率的上升激发了市场对优化设计、降低成本和提升车辆运行效率的需求,并为产品测试提出了新的难题。各种功率转换器和牵引逆变器构成了电动汽车动力总成子系统的核心,必须通过测试方可使其达到最出色的效率水平。尽管SiC/GaN 等宽禁带半导体器件能够为此提供积极的支持,但我们仍有其他测试难题需要应对。 800V 动力总成架构的引入堪称一次里程碑式的飞跃。下面我们就来了解一下,目前存在哪
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884
2024/02/20
电动汽车
示波器
相遇2023慕尼黑电子展,泰克与您探讨半导体、智能汽车测试难题
2023慕尼黑上海电子展(electronica China)正在国家会展中心(上海)举办,作为全球领先的测试测量解决方案提供商,泰克科技现场展出其领先测试解决方案,展位号国家会展中心(上海)6.2号馆A202。 慕尼黑上海电子展(electronica China)是从电子产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台,2023年7月11-13日在国家会展中心(上海)举办,涵盖新能源汽车、绿色
与非网编辑
866
2023/07/13
慕尼黑电子展
泰克
泰克推出基于示波器的双脉冲测试解决方案, 加快SiC和GaN技术验证速度
全球领先的测试测量解决方案提供商泰克科技公司日前宣布,推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。各种新型宽禁带开关器件正推动电动汽车、太阳能、工控等领域快速发展,泰克WBG-DPT解决方案能够对宽禁带器件(如SiC和GaN MOSFETs)提供自动可重复的、高精度测量功能。
与非网编辑
900
2023/05/31
宽禁带半导体
深挖GaN潜力,中国企业别掉队
除了更宽的禁带宽度,氮化镓还具备更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率,以及更优的抗辐照能力,这些特性对于电力电子、射频和光电子应用有独特优势。
半导体产业纵横
824
2023/05/04
GaN
氮化镓
半导体结构性调整态势下,英飞凌何以创下历史新高?
在全球半导体产业面临波动和结构性调整之时,英飞凌却在2022财年创下历史新高:全球营收142.18亿欧元,利润33.78亿欧元,利润率23.8%。这体现了头部的半导体企业,多年来通过不断优化产品组合、保持创新能力、面向长周期产业持续推进产能布局等战略,得以构建起的应对周期变化的能力和韧性。 日前,英飞凌科技大中华区在京举办了2023年度媒体交流会。英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技
张慧娟
1283
2023/03/25
物联网
与非观察
绿色芯片迎来春天
坚持高质量发展、走绿色低碳之路,成为中国经济社会发展的共识。今年全国两会政府工作报告指出,要推动发展方式绿色转型,推动重点领域节能降碳。去年年底,中共中央、国务院印发的《扩大内需战略规划纲要(2022-2035年)》中也提到,大力倡导绿色低碳消费,推进制造业高端化、智能化、绿色化。
中国电子报
439
2023/03/15
半导体技术
宽禁带半导体
第三代半导体能否引领电子芯片业的一次革新?
宽禁带半导体材料突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制,在5G通信、互联网、新能源、电子信息产业等前沿领域发挥重要作用。在摩尔定律遇到瓶颈,“中国制造2025”的大背景下,宽禁带半导体材料的发展前景不可限量。
半导体产业纵横
785
2023/01/30
第三代半导体
芯片产业
意法半导体将在意大利兴建整合式碳化硅衬底制造厂
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)衬底制造厂,以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求,协助其向电气化迈进并达到更高效率。
与非网编辑
142
2022/10/08
SiC
碳化硅
芯片测试大讲堂——宽禁带半导体模块动态参数测试
本期,我们来聊聊宽禁带(WBG)半导体模块的动态参数测试,以及是德科技新面市的双脉冲测试(DPT)系统PD1550A。
是德科技KEYSIGHT
619
2022/06/15
宽禁带半导体
动态参数
转向8英寸,宽禁带半导体成本要降?
近日,多家半导体头部企业加速布局8英寸宽禁带半导体制造。5月9日,有消息称,联电加速布局8英寸晶圆宽禁带半导体制造,近期正大举购置新机台扩产,预计下半年进驻厂区。
中国电子报
116
2022/05/14
宽禁带半导体
ST:减碳!宽禁带半导体迎来商用热潮
在实现高效能、节能降耗的过程中,电力科技一直都起着关键作用,而未来的重点方向之一就是新材料的运用,例如宽禁带半导体材料SiC和GaN。
张慧娟
510
2022/03/10
与非观察
SiC
Oscillation of SiC SBD 碳化硅肖特基二极管的震荡
让我们开始今天的话题,宽禁带半导体(这里主要就SiC展开)中普遍易于硅基的振荡。
Disciple
472
2021/12/27
二极管
sic器件
宽禁带半导体:碳中和新赛道
特斯拉在Model3使用了意法半导体生产的碳化硅MOSFET,开启了碳化硅上车之路。碳化硅 MOSFET 模组使特斯拉的逆变器效率从Model S的82%提升至Model 3的90%。
中国电子报
76
2021/12/15
宽禁带半导体
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