宽禁带半导体_宽禁带半导体资讯

近日，半导体激光加工公司Halo Industries,Inc.宣布，获 8000 万美元 B 轮融资（折合人民币约5.81亿元）。本轮融资由美国创新技术基金（USIT）牵头，8VC、SAIC跟投。据媒体报道，新一轮融资将使 Halo Industries公司的总市值达到 3 亿美元。

DT半导体

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08/13 11:10

宽禁带半导体半导体激光器

凭借 800V 电动汽车动力总成设计解决“里程焦虑”问题

电动汽车 (EV) 普及率的上升激发了市场对优化设计、降低成本和提升车辆运行效率的需求，并为产品测试提出了新的难题。各种功率转换器和牵引逆变器构成了电动汽车动力总成子系统的核心，必须通过测试方可使其达到最出色的效率水平。尽管SiC/GaN 等宽禁带半导体器件能够为此提供积极的支持，但我们仍有其他测试难题需要应对。 800V 动力总成架构的引入堪称一次里程碑式的飞跃。下面我们就来了解一下，目前存在哪

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02/20 10:25

电动汽车示波器

相遇2023慕尼黑电子展，泰克与您探讨半导体、智能汽车测试难题

2023慕尼黑上海电子展(electronica China)正在国家会展中心（上海）举办，作为全球领先的测试测量解决方案提供商，泰克科技现场展出其领先测试解决方案，展位号国家会展中心（上海）6.2号馆A202。慕尼黑上海电子展(electronica China)是从电子产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台，2023年7月11-13日在国家会展中心（上海）举办，涵盖新能源汽车、绿色

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2023/07/13

慕尼黑电子展泰克

泰克推出基于示波器的双脉冲测试解决方案，加快SiC和GaN技术验证速度

全球领先的测试测量解决方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。各种新型宽禁带开关器件正推动电动汽车、太阳能、工控等领域快速发展，泰克WBG-DPT解决方案能够对宽禁带器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自动可重复的、高精度测量功能。

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2023/05/31

宽禁带半导体

深挖GaN潜力，中国企业别掉队

除了更宽的禁带宽度，氮化镓还具备更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率，以及更优的抗辐照能力，这些特性对于电力电子、射频和光电子应用有独特优势。

半导体产业纵横

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2023/05/04

GaN 氮化镓

半导体结构性调整态势下，英飞凌何以创下历史新高？

在全球半导体产业面临波动和结构性调整之时，英飞凌却在2022财年创下历史新高：全球营收142.18亿欧元，利润33.78亿欧元，利润率23.8%。这体现了头部的半导体企业，多年来通过不断优化产品组合、保持创新能力、面向长周期产业持续推进产能布局等战略，得以构建起的应对周期变化的能力和韧性。日前，英飞凌科技大中华区在京举办了2023年度媒体交流会。英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技

张慧娟

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2023/03/25

物联网与非观察

绿色芯片迎来春天

坚持高质量发展、走绿色低碳之路，成为中国经济社会发展的共识。今年全国两会政府工作报告指出，要推动发展方式绿色转型，推动重点领域节能降碳。去年年底，中共中央、国务院印发的《扩大内需战略规划纲要（2022－2035年）》中也提到，大力倡导绿色低碳消费，推进制造业高端化、智能化、绿色化。

中国电子报

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2023/03/15

半导体技术宽禁带半导体

第三代半导体能否引领电子芯片业的一次革新？

宽禁带半导体材料突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、互联网、新能源、电子信息产业等前沿领域发挥重要作用。在摩尔定律遇到瓶颈，“中国制造2025”的大背景下，宽禁带半导体材料的发展前景不可限量。

半导体产业纵横

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2023/01/30

第三代半导体芯片产业

意法半导体将在意大利兴建整合式碳化硅衬底制造厂

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。

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2022/10/08

SiC 碳化硅

芯片测试大讲堂——宽禁带半导体模块动态参数测试

本期，我们来聊聊宽禁带（WBG）半导体模块的动态参数测试，以及是德科技新面市的双脉冲测试（DPT）系统PD1550A。

是德科技KEYSIGHT

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2022/06/15

宽禁带半导体动态参数

转向8英寸，宽禁带半导体成本要降？

近日，多家半导体头部企业加速布局8英寸宽禁带半导体制造。5月9日，有消息称，联电加速布局8英寸晶圆宽禁带半导体制造，近期正大举购置新机台扩产，预计下半年进驻厂区。

中国电子报

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2022/05/14

宽禁带半导体

ST：减碳！宽禁带半导体迎来商用热潮

在实现高效能、节能降耗的过程中，电力科技一直都起着关键作用，而未来的重点方向之一就是新材料的运用，例如宽禁带半导体材料SiC和GaN。

张慧娟

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2022/03/10

与非观察 SiC

Oscillation of SiC SBD 碳化硅肖特基二极管的震荡

让我们开始今天的话题，宽禁带半导体(这里主要就SiC展开)中普遍易于硅基的振荡。

Disciple

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2021/12/27

二极管 sic器件

宽禁带半导体：碳中和新赛道

特斯拉在Model3使用了意法半导体生产的碳化硅MOSFET，开启了碳化硅上车之路。碳化硅 MOSFET 模组使特斯拉的逆变器效率从Model S的82%提升至Model 3的90%。

中国电子报

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2021/12/15

宽禁带半导体

驾驭狼的速度，泰克与忱芯强强联手解决宽禁带半导体测试难题

近日，由忱芯科技（UniSiC）主办的碳化硅功率半导体及应用研讨会在苏州成功召开，横跨芯片、材料、封装及应用领域的多位国内外顶尖的宽禁带半导体技术带头人受邀参会，围绕宽禁带半导体卡脖子关键技术难题分享观点，展开讨论。

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2021/11/08

芯片 SiC

新能源汽车“里程焦虑”如何破？宽禁带半导体出手了

2021年国庆期间，新能源汽车的长途旅行充电难问题引起广泛关注。据报道，有车主在高速公路服务区为了给车充电花费5个多小时，原本8小时的路程，最终花了16个小时。充电难问题正在成为限制新能源汽车产业进一步发展的关键。在这方面，芯片产业有着很大的发挥空间，通过电池管理实现快速充电、通过能源管理提高续航里程，许多芯片企业均推出相关解决方案。当电

中国电子报

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2021/10/15

新能源汽车宽禁带半导体

下一代半导体：一路向宽，一路向窄

随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。

中国电子报

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2021/09/28

SiC 碳化硅

意法半导体针对高能效功率变换应用，推出新的 45W和150W MasterGaN 产品

为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达 45W 和 150W的功率变换应用。