宽禁带_宽禁带是什么意思

ST 宽禁带器件高压无线供电方案：300W + 级高效传输，赋能多场景无线供电

基于 ST 宽禁带（WBG）器件（GaN/SiC）的高压无线供电（WPT）方案，以 LCC-S 拓扑为核心，结合 MasterGaN 模块与 STM32G474 控制器，实现输入最高 400V、输出 100V/3A+、传输距离达 15cm 的 300W + 级无线供电，峰值效率超 96%，适配电动汽车、工业设备、无人机等高压高功率场景，解决传统无线供电功率低、距离近、电压受限的痛点。

eefocus_3901714

832

2025/11/18

无线供电宽禁带

升级电源和机架架构，满足AI服务器的需求

英飞凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM产品非常适用于应对数据中心机架和电源供应单元（PSU）电力需求增长所需的新架构和AC-DC配电配置。前言人工智能（AI）的迅猛发展推动了数据中心处理能力的显著增长。如图1所示，英飞凌预测单台GPU的功耗将呈指数级上升，预计到2030年将达到约2000 W [1]，而AI服务器机架的峰值功耗将突破惊人的300 kW。这一趋势促使数据中心机架的AC和D

与非网编辑

1119

2025/02/24

英飞凌功率器件

白皮书导读 | 电机驱动系统中的宽禁带开关器件

近年来，电动汽车的兴起带动了宽禁带器件的应用，并逐渐渗透到各个市场。目前，工业电机主要使用逆变器来提高能效等级，这些逆变器在使用传统硅MOSFET和IGBT作为功率开关时存在一些限制，如总体损耗较高、开关频率和功率输送受限等。随着第三代半导体的兴起，宽禁带器件的应用使得提高电机的功率密度、功率输送能力和效率成为可能。《电机驱动系统中的宽禁带开关器件》白皮书共18页，主要探讨了采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）宽禁带器件对电机驱动器效率的提升和应用中需要克服的设计问题。

英飞凌

1008

2024/12/26

电机驱动宽禁带

Nexperia与KOSTAL就先进车规级宽禁带器件达成战略合作伙伴关系

Nexperia今天宣布已与领先的汽车供应商KOSTAL（科世达）建立战略合作伙伴关系，旨在生产更符合汽车应用严苛要求的宽禁带(WBG)器件。根据合作条款，Nexperia将开发、制造和供应由Kostal设计和验证的宽禁带功率电子器件。此次合作初期将专注于开发用于电动汽车(EV)车载充电器(OBC)的顶部散热(TSC) QDPAK封装的碳化硅(SiC) MOSFET器件。 KOSTAL Autom

与非网编辑

843

2024/11/07

SiC Nexperia

【向宽禁带演进】：您能跟上宽禁带测试要求的步伐吗？

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带(WBG)材料的使用度正变得越来越高。在电气方面，这些物质比硅和其他典型半导体材料更接近绝缘体。这些物质的采用旨在克服硅的局限性，而这些局限性源自其是一种窄禁带材料，所以会引发不良的导电性泄漏，且会随着温度、电压或频率的提高而变得更加明显。这种泄漏的逻辑极限是不可控的导电率，相当于半导体运行失效。在这两种宽禁带材料中，GaN主要适合中低档功率

与非网编辑

716

2023/03/15

测试测量泰克

宽禁带

文章