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双脉冲测试

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    电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带(WBG)半导体,比如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能,被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高,SiC技术正被应用于电动汽车动力系统,而GaN则主要用作笔记本电脑、移动设备和其他消费设备的快速充电器。本文主要说明的是宽禁带FET的测试,但双脉冲测试也可应用于硅器件、MOSFET或IGBT中。 为确保这些设
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    双脉冲测试(DPT)是一种被广泛接受的评估功率器件动态特性的方法。以IGBT在两电平桥式电路中应用为例,如下图,通过调节直流母线电压和第一个脉冲持续时间,可以在第一个脉冲结束和第二个脉冲开始时捕捉到被测器件在任何所需的电压和电流条件下的开关瞬态行为。DPT结果量化了功率器件的开关性能,并为功率变换器的设计(如开关频率和死区时间的确定、热管理和效率评估)提供了参考依据,那么对于三电平电路,双脉冲测试需要怎么做呢?