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常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料
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Samtec 卓越支持与服务,助力半导体行业
在浩瀚的科技宇宙中,半导体行业无疑是那颗最为璀璨的星辰,引领着信息技术革命的浪潮。作为这一领域的坚实后盾,连接器技术同样扮演着至关重要的角色。 Samtec正以仰望星空的情怀和脚踏实地的精神,全方位支持半导体行业的发展,为技术的创新和进步贡献着自己的力量。 我们始终秉持“以产品、技术为核心”,“以卓越服务为根本”的经营理念,将其根植于Samtec人的血液中,伴随Samtec的发展与壮大。 ——逐梦
Samtec中国
604
01/20 14:50
半导体
芯片
英飞凌计划对TRAVEO™ T2G汽车MCU进行ISO/SAE 21434 产品合规认证
道路车辆日益增加的联网需求令网络安全需求日益增长。为此,联合国欧洲经济委员会(UNECE)通过了R155和R156法规,对汽车主机厂(OEM)的网络安全要求做出规定。想要在受UNECE监管的市场上销售新车,主机厂必须持有有效的批准证书,且在整个供应链体系中落实网络安全实践,以尽可能降低车辆在全生命周期中遭遇攻击的风险。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX /
与非网编辑
468
01/16 08:06
半导体
MCU
仰望“芯”空 · 脚踏实地 | Samtec参与ICCAD回顾总结
【序言】“在浩瀚的科技宇宙中,半导体行业无疑是那颗最为璀璨的星辰,引领着信息技术革命的浪潮。作为这一领域的坚实后盾,连接器技术同样扮演着至关重要的角色。Samtec正以仰望星空的情怀和脚踏实地的精神,全方位支持半导体行业的发展,为技术的创新和进步贡献着自己的力量。”—— 2024 ICCAD参与有感去年的12月11日至12日,备受瞩目的“上海集成电路2024年度产业发展论坛暨第三十届集成电路设计业
Samtec中国
307
01/13 16:50
半导体
芯片
用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构
一、引言在半导体制造业中,外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积(CVD)作为一种主流的外延生长方法,被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD外延生长过程中,石墨托盘作为承载和支撑半导体衬底的关键组件,其结构和性能对外延片的质量具有决定性影响。本文将详细介绍一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构,探讨其设计特点、工作原理及在半导体制造中的应用优势。二、结构特点该CVD石墨托盘结构主
万智光学
426
01/08 15:10
半导体
SiC
钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置
一、引言随着半导体技术的飞速发展,碳化硅(SiC)作为一种具有优异物理和化学性质的材料,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是实现高性能SiC器件制造的关键。钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置作为一种先进的生长设备,以其独特的结构和高效的生长性能,成为制备高质量SiC外延片的重要工具。本文将详细介绍钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置的结构、工作原
万智光学
665
01/07 16:37
半导体
SiC
半导体CEO人均高龄?62岁前英特尔大佬任国内第二晶圆代工总裁
1月4日消息,华虹半导体发布公告,自2024年12月31日起,公司董事会主席及执行董事唐均军(61岁)辞任总裁职务。英特尔前全球副总裁白鹏(62岁)接任总裁一职,此外,白鹏还将担任华虹半导体执行董事。任期3年,自2025年1月1日生效。
芯片大师
931
01/06 10:30
半导体
半导体人才
减少减薄碳化硅纹路的方法
碳化硅(SiC)作为一种高性能半导体材料,因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率,在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中,碳化硅片的减薄是一个重要环节,它可以提高器件的散热性能,并有助于降低制造成本。然而,在减薄过程中,碳化硅表面往往会出现纹路,这些纹路不仅影响器件的外观质量,还可能对器件的电学性能和可靠性产生不利影响。因此,如何减少减薄碳化硅纹路成为了一个亟待
万智光学
452
01/06 14:40
半导体
SiC
盛合晶微完成7亿美元新增定向融资,耐心资本助力三维多芯片集成技术龙头
/美通社/ -- 盛合晶微半导体有限公司(SJ Semiconductor Co.以下简称"盛合晶微")宣布,面向耐心资本的7亿美元定向融资已高效交割。本次新增投资人包括无锡产发科创基金、江阴滨江澄源投资集团、上海国投孚腾资本、上海国际集团、上海临港新片区管委会新芯基金及临港集团数科基金,以及社保基金中关村自主创新基金、国寿股权投资、Golden Link等。 高起点、高质量、高标准快速建设,盛合
与非网编辑
443
01/02 08:12
半导体
美通社
检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的方法
碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学性质,在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而,SiC外延晶片在生产过程中可能会引入微量的金属杂质,这些杂质对器件的性能和可靠性有着至关重要的影响。因此,开发高效、准确的检测方法以监控SiC外延晶片表面的痕量金属含量,对于保证产品质量和推进SiC技术的进一步发展具有重要意义。检测原理检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的
万智光学
373
01/02 08:38
半导体
SiC
半导体湿法刻蚀有多少工艺要求
半导体湿法刻蚀工艺要求涉及多个方面,那么想要大家一口气说完肯定不科学。为了让大家系统充分的了解与明白,我们给大家准备 下面的详细资料解释:
苏州芯矽电子科技有限公司
439
01/02 07:06
半导体
刻蚀工艺
8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
随着碳化硅(SiC)材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用,高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸,其外延生长室的结构设计直接关系到外延层的质量和生产效率。本文将详细介绍一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室的结构及其特点。结构概述8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构主要由以下几个部分组成:外延生长室、硬质保温层、导气管连接器、
万智光学
520
2024/12/31
半导体
SiC
氧化物湿法刻蚀原理
氧化物湿法刻蚀是一种在半导体制造和微纳加工领域中用于去除硅片上的氧化层(如二氧化硅SiO2)的关键技术。很显然这个简单的介绍不足以让大家明白, 下面我们就完整仔细的来给大家讲讲这个相关原理吧!化学反应原理:氧化物湿法刻蚀主要利用化学溶液与二氧化硅之间的化学反应来实现刻蚀。最常用的刻蚀剂是氢氟酸(HF)或其水溶液,因为氢氟酸能够与二氧化硅反应生成可溶于水的六氟硅酸(H2SiF6)。具体的化学反应方程
苏州芯矽电子科技有限公司
654
2024/12/31
半导体
半导体封测
道琼斯可持续发展指数将英飞凌评为全球最具可持续发展能力的公司之一
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)入选道琼斯可持续发展世界指数和道琼斯可持续发展欧洲指数。这是英飞凌连续第15次入选道琼斯可持续发展指数,体现了英飞凌在企业可持续发展方面一贯的卓越表现。该基准指数代表了标准普尔全球广泛市场指数(S&P Global Broad Market Index)中规模最大的 2,500 家公司中排名前 10%的公司,以长期经济
与非网编辑
671
2024/12/30
半导体
英飞凌
中国专利奖榜单揭晓:中微、新声等5家半导体企业斩获银奖
近日,第二十五届中国专利奖评选结果正式揭晓。本届金奖评选中虽未有半导体企业上榜,但银奖名单中共出现五家半导体企业的身影,展现了行业的创新活力。这五家企业分别是中微半导体设备(上海)股份有限公司深圳新声半导体有限公司、华海清科股份有限公司、广东风华高新科技股份有限公司以及山东天岳先进科技股份有限公司(以下分别简称“中微公司、新声半导体、华海清科、风华高科、天岳先进”)。
夏珍
1722
2024/12/30
与非观察
半导体
沟槽结构碳化硅的外延填充方法
一、引言沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层,以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中,不仅要保证外延层的填充率,还要避免空洞和缺陷的产生,从而确保器件的稳定性和可靠性。二、外延填充方法1. 实验准备在进行外延填充之前,首先需要通过实验确定外延生长和刻蚀的工艺参数。这通常包括使用与待填充的碳化硅正式片具有相同沟槽结构的生长实验片和刻蚀实验片进行试验。
万智光学
525
2024/12/30
半导体
SiC
ESIS 2024第三届中国电子半导体数智峰会圆满落幕!
ESIS 2024第三届中国电子半导体数智峰会于12月19日在上海万豪虹桥大酒店圆满落幕!本届大会由上海市集成电路行业协会指导,信息侠主办,浙江省数字经济联合会、中科聚力、CIO时代联合协办。 大会以“智驭新质潮·数创未来芯”为主题,邀请了200+来自电子半导体行业领域的专家学者、知名企业高管、CIO、数字化负责人、电子半导体领域信息化解决方案供应商等行业领袖莅临现场。聚焦大数据、AI、5G、区块
电子科技世界
973
2024/12/24
人工智能
半导体
日本元器件分销商:加大采购中国产品!
中国制造的半导体由于具有成本竞争力,需求十分旺盛。这一情况促使一些日本半导体分销商积极扩大在中国的业务规模,同时加大对中国产品的采购力度。据日经中文网报道,日本大型半导体商社Restar正与中国台湾企业深化合作,增加对中国大陆产半导体的采购。Restar计划在2025年之前将中国台湾世平集团的物流管理系统引入新加坡,以实时掌握全球半导体厂商的供应能力,并与客户建立联系。
满天芯
2491
2024/12/23
半导体
元器件分销商
英诺赛科今日在港招股 氮化镓功率半导体新星升起
中央政治局会议指,要以科技创新引领新质生产力发展,建设现代化产业体系。以半导体为代表的硬科技兼具「经济顺周期」与「新质生产力」的双重特征,在国家政策大力扶持下,复苏趋势逐渐明朗,各细分板块投资机遇显现。 作为最新一代半导体材料,氮化镓近年来已广泛应用于各行各业,不仅将在功率半导体行业的持续变革中发挥关键作用,也有望诞生第一家港股上市公司。12月18日,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(下称「英诺赛
与非网编辑
770
2024/12/19
半导体
氮化镓
美国将调查中国“传统芯片”,提高关税
据悉,美国拜登政府正在准备对用于美国家电等的中国成熟制程半导体进行不公平贸易行为的调查。美国《纽约时报》(NYT)当地时间12月16日援引熟悉该事件的匿名消息人士及政府、业界文件报道称,拜登政府决定根据贸易法第301条对中国产成熟制程半导体进行调查。
芯片说 IC TIME
1842
2024/12/18
半导体
成熟制程
创新引领国产MFC,青岛芯笙“创客中国”全国总决赛荣耀加冕
在刚刚结束的 2024 第九届 “创客中国” 中小企业创新创业大赛中,青岛芯笙微纳电子科技有限公司(以下简称:青岛芯笙公司)做为青岛唯一、山东唯二的企业,从全国3.5万个大赛参赛入库项目、5009个专精特新企业、785个专精特新“小巨人”企业中脱颖而出,入围前50强,并荣获三等奖。
科技视界观
1414
2024/12/18
半导体
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