半导体晶圆_半导体晶圆是什么意思

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碳化硅衬底修边处理后，碳化硅衬底TTV变化管控
一、碳化硅衬底修边处理的作用与挑战修边处理是碳化硅衬底加工中的一个关键步骤，主要用于去除衬底边缘的毛刺、裂纹和不规则部分，以提高衬底的尺寸精度和边缘质量。然而，修边过程中由于机械应力、热应力以及工艺参数的精确控制难度，往往会导致衬底表面TTV的变化，进而影响后续加工工序和最终产品的性能。二、影响修边处理后TTV变化的关键因素修边工艺：修边工艺的选择直接影响TTV的变化。不同的修边工艺，如机械

万智光学

846

2024/12/27

碳化硅半导体晶圆
降低碳化硅衬底TTV的磨片加工方法
一、碳化硅衬底的加工流程碳化硅衬底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗抛和精抛（CMP）等几个关键工序。每一步都对最终产品的TTV有着重要影响。切割：将SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多线砂浆切割是目前常用的切割方式，关键在于确保切割后的晶片厚度均匀、翘曲度小。粗磨：去除切割过程中产生的表面损伤和刀纹，修复变形。此过程需使用高硬度磨料，如碳化硼或金刚石粉，以达到稳定的去除速率。精磨：进一步降

万智光学

1063

2024/12/25

碳化硅半导体晶圆
激光退火后，碳化硅衬底TTV变化管控
一、激光退火在碳化硅衬底加工中的作用与挑战激光退火是一种先进的热处理技术，通过局部高温作用，能够修复碳化硅衬底中的晶格缺陷，提高晶体质量，优化掺杂元素的分布，从而改善材料的导电性能和表面结构。然而，激光退火过程中，由于激光能量分布的不均匀性、退火参数的精确控制难度以及衬底材料的初始状态等因素，往往会导致衬底表面TTV的变化，进而影响后续加工工序和最终产品的性能。二、影响激光退火后TTV变化的关

万智光学

1170

2024/12/24

碳化硅半导体晶圆
优化湿法腐蚀后碳化硅衬底TTV管控
一、湿法腐蚀在碳化硅衬底加工中的作用与挑战湿法腐蚀是碳化硅衬底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面损伤层、调整表面形貌、提高表面光洁度等。然而，湿法腐蚀过程中，由于腐蚀液的选择、腐蚀时间的控制、腐蚀均匀性等因素，往往会导致衬底表面TTV的增加，进而影响后续加工工序和最终产品的性能。二、影响湿法腐蚀后TTV的关键因素腐蚀液成分：腐蚀液的选择直接影响腐蚀速率和均匀性。不同的腐蚀液对碳化硅的腐蚀

万智光学

949

2024/12/24

碳化硅半导体晶圆
降低晶圆TTV的磨片加工有哪些方法
降低晶圆TTV（Total Thickness Variation，总厚度变化）的磨片加工方法主要包括以下几种：一、采用先进的磨削技术硅片旋转磨削：原理：吸附在工作台上的单晶硅片和杯型金刚石砂轮绕各自轴线旋转，砂轮同时沿轴向连续进给。砂轮直径大于被加工硅片直径，其圆周经过硅片中心。优点：单次单片磨削，可加工大尺寸硅片；磨削力相对稳定，通过调整砂轮转轴和硅片转轴之间的倾角可实现单晶硅片面型的

万智光学

1156

2024/12/24

碳化硅半导体晶圆

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