半导体工艺

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  • FD-SOI,半导体“特色”工艺之路能否走通?
    在进入28纳米节点时,半导体逻辑制造工艺出现了分岔。一条路线走向了三维工艺,即大家所熟知的FinFET,代表厂商有台积电、英特尔和中芯国际等晶圆制造厂商;另一条路线则还在坚持平面工艺,被称为FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗尽硅型绝缘体上硅),代表厂商有意法半导体(STMicroelectronics)。三星电子与格罗方德(GlobalFoundries)则两条腿走路,对FinFET与FD-SOI都有布局,但三星的先进逻辑制造工艺还是以FinFET为主。
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    2024/10/31
    FD-SOI,半导体“特色”工艺之路能否走通?
  • 为什么器件失效分析需要Nano-probe机台?
    器件失效分析(Failure Analysis,FA)关系到集成电路的质量控制、产品可靠性以及产量优化。在分析过程中,工程师必须准确定位失效源头,分析失效机理并找到解决方法。其中,Nano-probe(纳米探针)作为一项关键的微纳级分析工具,广泛应用于先进工艺制程中,如5nm、7nm、16nm等。
    为什么器件失效分析需要Nano-probe机台?
  • 为什么器件失效分析需要AFM机台?
    失效分析是确保集成电路和微电子器件可靠性、优化制造工艺的重要环节。随着技术的进步,特别是进入5nm、7nm等先进工艺节点后,器件失效模式变得更为复杂,要求我们使用各种高精度的分析工具进行失效定位和机理分析。原子力显微镜(Atomic Force Microscope,简称AFM)就是其中一种重要的分析工具。
    为什么器件失效分析需要AFM机台?
  • 东方晶源深耕电子束量测检测核心技术 “三箭齐发”新一代EOS上“机”
    电子束量测检测设备是芯片制造装备中除光刻机之外技术难度最高的设备类别之一,深度参与光刻环节、对制程节点敏感并且对最终产线良率起到至关重要的作用。其最为核心的模块为电子光学系统(Electron Optical System,简称EOS),决定设备的成像精度和质量, 进而决定设备的性能。 作为电子束量测检测领域的先行者、领跑者,东方晶源始终坚持自主研发,不断深化研发投入、加速技术创新步伐,致力于为客
    东方晶源深耕电子束量测检测核心技术 “三箭齐发”新一代EOS上“机”
  • 碳化硅竞争升级,中国企业施压国际大厂
    作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)与硅(Si)相比,拥有更加优异的物理和化学特性,使得SiC器件能降低能耗20%以上,减少体积和重量30%~50%,可满足中低压、高压、超高压功率器件制备要求。SiC器件可广泛应用于电动汽车、轨道交通、智能电网、通信雷达和航空航天等领域。
    碳化硅竞争升级,中国企业施压国际大厂