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  • 世平安森美快速PCB热计算用于带裸露焊盘封装的电力电子元件-第一部分
    核心技术优势/方案详细规格/产品实体图/PCB/方块图Datasheet/测试报告/Gerber/Schematics/User manual +一键获取 这份文件主要是针对具有裸露焊盘封装的功率电子元件的快速PCB热计算方法。由于篇幅较长,我们会分为两个部分说明。 以下是文件的主要内容摘要: 议程: 第一部分: 1. 引言 2. 器件与电路板的热阻模型 3. 简化热阻模型 4. 计算电路板到环境
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  • JSM2181STR 700V单相高低侧栅极驱动芯片
    在功率电子领域,栅极驱动芯片如同系统的 “神经中枢”,直接决定着功率器件的开关性能与系统可靠性。长期以来,IRS2181 作为经典的 600V 半桥驱动芯片,凭借稳定的性能占据着不小的市场份额。但随着高压应用场景的不断拓展,一款名为 JSM2181STR 的 700V 单相高低侧栅极驱动芯片正凭借更优异的性能参数,成为工程师眼中替代 IRS2181 的理想之选。今天我们就从技术参数、保护机制、应用
  • JSM2008STR PBF250V 集成自举带 SD 功能的半桥驱动芯片
    在功率电子领域,半桥驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”,其性能直接决定了整个系统的稳定性、效率与可靠性。杰盛微半导体推出的JSM2008STR作为一款 250V 集成自举带 SD 功能的半桥驱动芯片,不仅继承了 IRS2008STR 的核心优势,更在兼容性与实用性上实现了无缝替代,成为高压 MOSFET 驱动场景的理想选择。本文将基于数据手册,从性能特性、电气规格、设计要点到应用场景进行
  • 技术洞察 | 英飞凌CoolMOS™ 8证实高压硅基技术在功率电子领域仍然发挥着重要作用
    核心技术优势/方案详细规格/产品实体图/PCB/方块图Datasheet/测试报告/Gerber/Schematics/User manual +一键获取 近年来,媒体、网络研讨会和杂志几乎每天都会报道碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)器件的大规模部署,它们作为新一代半导体材料,正势不可挡地拓展应用范围,似乎正在动摇硅基器件多年来在功率转换领域的主导地位!然而,尽管电动出行和可再生能源政策为新技术
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  • SiC衬底市场2024年营收年减9%,但长期需求乐观
    受2024年汽车和工业需求走弱,SiC衬底出货量成长放缓,与此同时,市场竞争加剧,产品价格大幅下跌,导致2024年全球N-type(导电型)SiC衬底产业营收年减9%,为10.4亿美元。 进入2025年,即便SiC衬底市场持续面临需求疲软和供给过剩的双重压力,但长期成长趋势依旧不变,随着成本逐渐下降和半导体元件技术不断提升,未来SiC的应用将更为广泛,特别是在工业领域的多样化。同时,激烈的市场竞争
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