功率晶体管_功率晶体管是什么意思

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一种适用于陆地移动无线电的低成本VHF放大器设计指南

恩智浦
643

2023/04/25
放大器功率晶体管放大器增益
MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册

恩智浦
785

2023/04/25
功率晶体管 LDMOS LDMOS晶体管
28/32 V LDMOS：新的IDCH技术将射频功率性能提高到4 GHz

意法半导体(ST)
603

2023/04/25
RF 功率晶体管射频器件
28/32 V LDMOS：IDDE技术提高效率和稳健性

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意法半导体(ST)
621

2023/04/25
RF 功率晶体管射频器件

文章

应用指南导读 | 优化HV CoolGaN™功率晶体管的PCB布局
作为宽禁带半导体，氮化镓（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成为现代功率电子领域的新宠。然而，GaN器件的高速开关行为也对PCB布局设计提出了巨大挑战。因此想要充分发挥GaN的潜力，我们必须理解和管理PCB布局产生的寄生阻抗，确保电路正常、可靠地运行，并且不会引起不必要的电磁干扰（EMI）。

英飞凌

834

01/06 11:50

pcb布局功率晶体管
英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布与总部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作关系，后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P，帮助该公司开发先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。此次合作将英飞凌的先进氮化镓（GaN

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1182

2024/10/21

英飞凌 GaN
ROHM发售4款非常适用于工业电源的SOP封装通用AC-DC控制器IC
配备高精度欠压锁定功能，产品阵容丰富，支持从Si-MOSFET到IGBT和SiC MOSFET的各种功率晶体管全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出PWM控制方式*1FET外置型通用控制器IC，非常适用于工业设备的AC-DC电源。目前已有支持各种功率晶体管的4款新产品投入量产，包括低耐压MOSFET驱动用的“BD28C55FJ-LB”、中高耐压MOSFET驱动用的“BD28C5

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854

2024/08/22

PWM 功率晶体管
EET的SolMate® 选用EPC氮化镓器件
Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奥地利，是设计和生产创新、用于阳台的小型发电厂的先驱。EET公司选用了宜普电源转换公司(EPC)的增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管（EPC2204）, 用于其新型SolMate®绿色太阳能阳台产品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之间实现了最佳折衷，这对于要求严格的硬开关应用至关重要，同时在紧凑的封装中实现100 V的漏-源击穿电压。这种紧凑型设计显着缩小了PCB的尺寸，保持较小的电流环路和最大限度地减少EMI。

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2393

2023/12/07

GaN 氮化镓
意法半导体 GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性
意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。

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2380

2023/09/07

GaN 氮化镓

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