功率半导体器件

• 【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解

  MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。 图1. 功率MOSFET的组件级电容 三端功率半导体器件的电容可以在两种不同的量级上看待：组件和电路。在组件上查看电容涉及到表征每个设备终

  与非网编辑

  5227

  2024/06/06

  MOSFET 功率半导体器件

  
• 英飞凌携手盛弘电气拓展储能市场， 共同推进绿色能源发展

  近日，英飞凌宣布与全球领先的能源互联网核心电力设备及解决方案领军企业盛弘电气股份有限公司达成合作。英飞凌将为盛弘提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件，配合EiceDRIVER™ 紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC， 从而进一步提升储能变流器的效率。 在“双碳”战略和新能源浪潮带动下，近年来，国内储能市场保持持续快速发展。据工信部统计，2023年上半年，新型储能

  与非网编辑

  1912

  2024/01/26

  SiC 英飞凌

  
• Transphorm氮化镓器件率先达到对电机驱动应用至关重要的抗短路稳健性里程碑

  新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，利用该公司的一项专利技术，在氮化镓功率晶体管上实现了长达5微秒的短路耐受时间（SCWT）。这是同类产品有记录以来首次达到的成就，也是整个行业的一个重要里程碑，证明 Transphorm 的氮化镓器件能够满足伺服电机、工业电机和汽车动力传动系统等传统上由硅 IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的坚固型功率逆变器所需的抗短路能力 --- 氮化镓在这类应用领域未来五年的潜在市场规模(TAM)超过 30 亿美元。

  与非网编辑

  2314

  2023/08/24

  GaN 氮化镓
• 英飞凌300毫米薄晶圆功率半导体高科技工厂正式启动运营

  英飞凌科技股份公司今日宣布，其位于奥地利菲拉赫的300毫米薄晶圆功率半导体芯片工厂正式启动运营。

  与非网编辑

  119

  2021/09/17

  芯片 电动汽车
• 万万没想到打败汽车的不是汽油，而是芯片

  相比手机、电脑芯片新产品发布会有时比春晚还热闹的景象，汽车芯片领域一直不太受普通大众关注。直到2020年开始，汽车芯片出现了严重短缺，甚至出现了供应商囤积居奇的魔幻场景。

  BOO聊通信

  212

  2021/08/11

  MCU 汽车芯片
• 东微半导体：高端功率半导体器件国产替代“拓荒者”

  苏州东微半导体股份有限公司闯关科创板IPO获上交所受理，本次拟募资9.39亿元。东微半导体是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。

  与非网编辑

  241

  2021/07/05

  功率半导体 国产替代
• 吉林华微电子： 自主研发砥砺行 助力打造“中国芯”

  栉风沐雨五十余载，筚路蓝缕砥砺前行。从初创时期的“一穷二白”到今天总资产近57.52亿元、员工2100余人，吉林华微电子股份有限公司（以下简称华微电子）历经行业起伏，创造了辉煌的企业成就。

  与非网编辑

  155

  2021/07/05

  芯片封装 功率半导体器件
• 张波：功率芯片，中国半导体产业崛起的突破口

  张波教授从应用、市场、机遇和挑战等多个维度对功率芯片进行了深入剖析，并指出功率芯片是中国半导体产业崛起的突破口。

  赵元闯

  140

  2020/07/20

  半导体产业 功率半导体器件
• IGBT为什么这么难？

  IGBT 是一个难啃的骨头，这是一个公认的事实。

  步日欣

  397

  2020/07/16

  IGBT 功率半导体器件
• 拙见 | 短路振荡如何改善

  今天我们就来聊聊IGBT短路测试中经常出现，但可能不太被重点分析的一种现象——短路振荡。

  Disciple

  237

  2020/07/06

  IGBT 驱动电路
• 连续22个涨停下的中国IGBT

  关于 IGBT 的科普文章，请参考“科创之道”之前发布的科普文《电磁炉里的高科技》。

  步日欣

  93

  2020/03/25

  CPU IGBT
• 一文带你看完ISPSD怎么推进功率半导体技术发展？

  第31届功率半导体器件和集成电路国际会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)将于2019年5月19-23日在上海宝华万豪酒店举办，这是ISPSD会议举办30多年以来第一次在中国内地召开。

  赵元闯

  228

  2019/04/10

  功率半导体 IC
• 如何避免MOSFET常见问题和失效模式

  Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应晶体管），简称MOSFET，是一种常用的功率半导体器件，广泛应用于电子领域中的开关、放大、调节等电路中。然而，MOSFET也存在一些常见问题和失效模式，需要合理设计和使用来避免。

  eefocus_3901714

  291

  03/05 15:30

  MOSFET 功率半导体器件
• igct和igbt有什么区别

  在当今的电力电子领域中，IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor）和IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是两种常见的功率半导体器件。它们在各自的应用场景中起着重要的作用。

  eefocus_3901714

  9339

  2024/02/05

  IGBT 功率半导体器件
• 电力电子器件有哪些 电力电子器件系统组成

  电力电子器件是指用于控制电能的半导体器件，其种类繁多。常见的电力电子器件包括：

  eefocus_3880508

  2472

  2022/12/26

  功率半导体器件 电力电子器件

正在努力加载...