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• 功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息

  功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

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  功率半导体 功率器件

  
• 英飞凌IGBT7系列芯片大解析

  上回书说到，IGBT自面世以来，历经数代技术更迭，标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2，沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4，表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今，英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micro pattern trench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现极低的导通压降和优化的开关性能。

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  01/16 11:45

  英飞凌 IGBT

  
• 功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计

  功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

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  01/14 11:10

  pcb设计 功率半导体

  
• 功率器件热设计基础（十一）——功率半导体器件的功率端子

  功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

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  功率半导体 功率器件

  
• 应用指南导读 | 优化HV CoolGaN™功率晶体管的PCB布局

  作为宽禁带半导体，氮化镓（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成为现代功率电子领域的新宠。然而，GaN器件的高速开关行为也对PCB布局设计提出了巨大挑战。因此想要充分发挥GaN的潜力，我们必须理解和管理PCB布局产生的寄生阻抗，确保电路正常、可靠地运行，并且不会引起不必要的电磁干扰（EMI）。

  英飞凌

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  01/06 11:50

  pcb布局 功率晶体管
• 英飞凌：碳化硅未来五年前景向好，长期主义谋发展的关键是什么？

  碳化硅（SiC）作为满足可持续性能源生产和消费的核心技术，当前正处在蓬勃发展期。行业数据显示，从2024年到2029年，全球碳化硅市场规模将从31亿欧元增长到90亿欧元，年复合增长率超过24%。

  张慧娟

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  01/03 15:18

  与非观察 碳化硅
• 白皮书导读 | 电机驱动系统中的宽禁带开关器件

  近年来，电动汽车的兴起带动了宽禁带器件的应用，并逐渐渗透到各个市场。目前，工业电机主要使用逆变器来提高能效等级，这些逆变器在使用传统硅MOSFET和IGBT作为功率开关时存在一些限制，如总体损耗较高、开关频率和功率输送受限等。随着第三代半导体的兴起，宽禁带器件的应用使得提高电机的功率密度、功率输送能力和效率成为可能。《电机驱动系统中的宽禁带开关器件》白皮书共18页，主要探讨了采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）宽禁带器件对电机驱动器效率的提升和应用中需要克服的设计问题。

  英飞凌

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  2024/12/26

  电机驱动 宽禁带

  
• 功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数

  功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

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  2024/12/24

  功率半导体 功率器件

  
• 功率器件-2024年四季度供需商情报告

  《功率器件-2024年四季度供需商情报告》核心观点：11月功率器件需求降至较低水平，但设计指数的环比上升预示着未来销售的复苏；总体价格指数略微下行；交货周期继续下行，买家或应利用该有利条件。 部分内容：功率器件市场面临不确定性，买家因地缘政治不确定性和预期的关税而推迟购买，导致11月需求降至明显较低的水平。但设计指数的环比上升预示着未来销售的复苏，预计市场需求将在2025年第二季度稳定下来。 功率

  史德志

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  2024/12/18

  功率器件 供需商情

  
• 功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散

  功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

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  2024/12/17

  功率半导体 功率器件

  
• 功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流

  功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

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  2024/12/11

  功率半导体 功率器件

  
• 功率半导体冷知识之二：IGBT短路时的损耗

  IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。

  英飞凌

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  2024/12/07

  IGBT 功率半导体
• 功率半导体冷知识：功率器件的功率密度

  功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。我们一路追求单位芯片面积的输出电流能力，实现方法是：

  英飞凌

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  2024/12/07

  功率半导体 功率器件
• 功率半导体冷知识：IGBT短路结温和次数

  英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度，而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。那么IGBT模块一辈子都可以生活在这样的舒适区享受人生吗？

  英飞凌

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  2024/12/07

  功率半导体 IGBT模块
• 功率器件热设计基础（七）——热等效模型

  功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

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  2024/12/03

  功率半导体 功率器件

  
• 隐藏在纳微半导体、珠海镓未来背后的小米

  氮化镓作为第三代半导体材料，与传统的硅基技术相比，具有更高的击穿电场、更低的导通电阻和更高的能量转换效率。它能够在高频高压环境下稳定工作，尤其适合功率器件、射频器件和快充设备等领域的应用。 根据行业预测，全球氮化镓市场将在未来几年迎来高速增长，预计到2027年市场规模将突破10亿美元，年复合增长率保持在30%以上。其广泛的应用场景包括消费电子、5G通信、新能源汽车和数据中心等，这使得氮化镓成为未来

  李坚

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  2024/11/28

  氮化镓 与非研究院

  
• 功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量

  功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

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  2024/11/26

  功率半导体 功率器件

  
• 英飞凌携手马瑞利采用AURIX™ TC4x MCU系列推动区域控制单元创新

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与汽车行业头部技术供应商马瑞利（Marelli）正在合作开发先进的E/E架构解决方案。此次合作结合了两家公司在汽车领域的专业经验，并采用了英飞凌最新的 AURIX™ TC4x微控制器开发创新的区域控制单元（ZCU）。英飞凌的AURIX™ TC4x 系列专为新型 E/E 架构设计，该系列扩展

  与非网编辑

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  2024/11/21

  MCU 英飞凌

  
• 功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容

  功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

  英飞凌

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  2024/11/19

  功率半导体 功率器件

  
• 英飞凌：全年销售150亿！

  英飞凌最新一季业绩已经出炉，截至目前，欧洲三大芯片巨头财报都已披露。综合几方数据，目前欧洲市场疲软依旧，并且有可能继续拖累下一季度的财务表现，而中国电动车市场由于销售热度不减，成为拉动业绩的动力之一。

  满天芯

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  2024/11/15

  英飞凌 芯片行业

  

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