【Qorvo专版】《氮化镓射频技术For Dummies》

一纸妖娆

Qorvo刚刚完成更新的资料——《氮化镓射频技术For Dummies》——无论您是电气设计和氮化镓技术的新手，还是希望在设计中使用氮化镓技术的经验老道的设计工程师，您都将发现本书有所帮助。本书各章自成一体，如果您喜欢，您可以跳读。如果你熟悉一章的论题，可以直接跳过。我们在本书的其他章节提供交叉索引，所以您总能找到自己想要的东西。

本书目录：
1.引言
2.氮化镓综述
3.介绍氮化镓的场效应管
4.关于氮化镓技术的是个重要事实

点击此处可以下载：

lockheed123

支持，氮化镓唯二的霸主

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下载了，多谢了！！

murongyu

1.HEG001D型1.2~1.4GHz 20W高效GaN微波功率模块的特性是什么？
答案：
性能特点：(1)可覆盖工作频带范围：1.2 ~ 1.4GHz；(2)良好的50欧姆阻抗匹配，易级联使用；(3)采用标准QF92-4金属功率管壳封装；(4)满足军温工作条件：-55摄氏度 ~ +85摄氏度。
电性能表：工作条件：50欧姆测试系统，Vd=28V, Vg=-5V;（典型测试条件：连续波）
性能参数    单位      规范值     典型值
工作频带     GHz    1.2 ~ 1.4      --
输出功率     dBm    >=43           43
功率平坦度   dB     <=0.8          0.5
功率增益     dB     >=11           11
附加效率     --     >=60%          62%

极限参数：电源电压：漏源+35V；栅源-10V
耗散功率(TA=25摄氏度)：15W
存储温度范围：-65  ~ +150 摄氏度
工作温度范围：-55 ~ +85 摄氏度

2.氮化镓（GaN）的熔点为多少？
答案：GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃。

3.碳化硅基氮化镓在射频应用中脱颖而出的原因是什么？
答案：
(1) 高击穿电场：由于氮化镓拥有大能隙，因此氮化镓材料也拥有高击穿电场，所以氮化镓器件的工作电压可以远高于其他半导体器件。
当受到足够高的电场影响时，半导体中的电子能够获得足够动能并脱离化学键（这一过程被称为“碰撞电离”或“电压击穿”）。
如果碰撞电离没有得到控制，则能够造成器件性能退化。由于氮化镓能够在较高电压下工作，因此能够用于较高功率的应用。
(2) 高饱和速度：氮化镓的电子拥有高饱和速度（非常高的电场下的电子速度）。当结合大电荷能力时，这意味着氮化镓器件能够提供高得多的电流密度。
射频功率输出时电压与电流摆幅的乘积，所以，电压越高，电流密度越大，在实际尺寸的晶体管中产生的射频功率越大。简单而言，氮化镓器件产生的功率密度要高得多。
(3) 突出的热属性：碳化硅基氮化镓表现出不同一般的热属性，这主要因为碳化硅的高导热。具体而言，这意味着在功率相同的情况下，碳化硅基氮化镓器件的温度不会变的像砷化镓器件或硅器件那样高。器件温度越低才越可靠。

4.氮化镓的纵向半导体结构包括哪些？
答案：纵向半导体结构包括：栅；势垒层；沟道；缓冲层；衬底。

suoma

谢谢分享学习一下

bijinyi-234193

谢谢分享。