双极型晶体管的动态模型-微变等效模型

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以前述动态求解方法为基础，可以获得晶体管的动态模型。所谓的动态模型，是指一 个新的电路结构，它由我们已经熟悉的电路元器件组成，包括电阻、电容、电感、电源、受控源等，针对动态输入，也就是输入的变化量，该电路结构可以客观表征原晶体管各个节点电压、支路电流的变化量。

比如，一个稳压管包括击穿电压、击穿后的曲线斜率等信息，如果用基本电路元件去完整描述它，需要较多元件。但是在击穿状态下，它可以被描述成一个只表征击穿曲线斜率的电阻rz——当电压发生Auz的变化量，一定会出现Aiz的电流变化量，且有：

动态模型是完整模型的简化，有助于简化动态结果的求解过程，但只对动态输入，即输入变化量有效。

下面看看如何构造晶体管的动态模型。

晶体管低频动态模型只使用电阻、受控电流源即可实现，它客观描述如下动态变化过 程：

UBE的变化量，会导致iB产生多大的变化量；

iB的变化量，会导致iC产生多大的变化量；

晶体管的高频模型，还包括电容器，以描述上述变化量关系在高频时的改变。理论上 说，晶体管的高频模型涵盖了高频、低频，低频模型只是高频模型的一个子集。但是，针对低频信号，使用相对更为简单的低频模型，就足够了。因此，本节只研究低频模型。

假设图SectionlO-1电路具有合适静态工作点。当把输入信号耦合到电路中，晶体管的信号传递过程体现在如下几个环节

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