GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟,并且还抓住了有线电视、移动基础设施的部分市场。虽然LDMOS(横向扩散MOS晶体管)目前仍占据基础设施和工业市场的绝大部分份额,但这种情况可能很快就会改变,因为GaN性能与LDMOS基本相当甚至更胜一筹。也许LDMOS现在的唯一优势就是价格了,但这一优势也逐渐不保:Qorvo公司最近宣布将重心转移到6英寸SiC(碳化硅)基GaN上;MACOM公司也宣布将尝试在成本较低的CMOS(Complementary Metal Oxide Silicon 互补型金属氧化物半导体)生产线上生产8英寸Si(硅)基GaN。这些举动都有利于提高GaN的成本竞争优势。
7、Wolfspeed已经完成了超过1000亿小时的外场工作测试,在测试时间内,其FIT(Failure in time 工作时间失效率)失效率低于每十亿器件小时5个失效(包括分立GaN晶体管和集成电路)。这一公司在近期宣布,他们的GaN射频功率晶体管通过了NASA的卫星和太空系统可靠性标准。其器件还符合NASA的EEE-INST-0021级可靠性测试。