NPN型晶体管的伏安特性

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描述一个电学器件的特性，最直观的方法就是了解其伏安特性。所谓的伏安特性，是指横轴为电压、纵轴为电流的一组测试记录。

晶体管有三个脚，怎么用伏安特性描述它呢？科学家一般通过两个伏安特性来展示晶体管的特征，即输入伏安特性，以及输出伏安特性。

输入伏安特性

晶体管的输入伏安特性，是指基极电流iB与发射结电压UBE之间的关系——可能受到UCE的影响。

将晶体管按照图SeCtion2-l连接。将uCe设为5V ,改变uBE ,测量基极电流iB , 即可得到基极电流iB与uBE的关系，为图Section2-2所示的一根曲线。将uCE从5V 开始，每次降低IV ,即可得到多根曲线。发现，除uCE=OV比较特殊之外，其余的曲线基本上是重合的——称为一簇线。

这一簇重合线，就是晶体管输入伏安特性——因为晶体管在大多数情况下，都是工作 在uCE>OV的情况下。这一簇曲线可以用如下表达式近似描述：

其中，UT认被称为热电压，是一个与绝对温度成正比的值，在27°C时约为26mV。/s称为反
相饱和电流，每个晶体管具有不同的值，很小。在公式中，当uBE趋于负无穷时，IB趋于-/s。
可以看出，当发射结电压uBE远大于UT时，式〔SeCtion2-l〕近似为一个指数表达式。

—般情况下，当uBE>0.7V ,晶体管的iB开始呈现出较为明显的电流。

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