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晶体管的高频等效模型

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    发表于 2019-7-19 17:08:25 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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    图Section51-l来自于晶体管低顷等效模型,是对其实施改造而成:
    其次,利用M(的b'点,弓丨入客观存在的两个电容:Cbe、Cbc。
    第三,高频模型的输出受控电流源,不再受控于ib ,而受控于流过rb,e的电流;ib,e。至此,晶体管高频等效模型如图Secti〇n51-l所示。可以看出如下结论:
    1)       随着输入信号频率的增高,在b、e两端具有不变信号电压情况下,流过rve 的电流会逐渐减小,导致^电流源和会逐渐减小。
    2)       随着输入信号频率的增高,在相同的^电流源ibe情况下,真正的ic会减小。
    这两个结论都表明,随着频率的上升,真正的ie会减小,连接成放大电路后,导致输出电压会随着频率升高而减小。
    时,即为ib ,此模型就变成了低顷等效模型。因此,可以说图Section51-l模型是高低频通用模型。
    更多的教材愿意用图Section51-2表示晶体管高频模型。它以rve两端的电压控制 输出^源,因此输出受控源的表达式变为:
    其中:
    可以看出,这两种形式没有本质区别。前者更容易与低模型配合理解,后者更通用。


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