雪崩击穿和齐纳击穿区别 雪崩击穿和齐纳击穿的特点

雪崩击穿和齐纳击穿是介电材料中常见的两种电击穿方式。其中，雪崩击穿和齐纳击穿的区别和特点如下：

1.雪崩击穿和齐纳击穿区别

首先，它们发生的位置不同。雪崩击穿主要发生在高电场强度下，而齐纳击穿则发生在低电场强度下。其次，它们产生的机理不同。雪崩击穿是电子与原子碰撞导致空穴和自由电子同时增加而产生设防的；齐纳击穿则是由于电子被电场加速达到碰撞离子的离子化能力而发生。

2.雪崩击穿的特点

雪崩击穿的特点是存在击穿电压的阈值。在低电压下，介电材料可以承受相当大的电场强度，而不发生击穿现象。但一旦电压达到击穿电压阈值，介电材料就会在极短时间内被雪崩电子激发成导体状态，并造成永久性破坏。

3.齐纳击穿的特点

相比之下，齐纳击穿则是没有固定的击穿电压阈值。它的击穿几率和电场强度呈指数关系，即随着电场强度的增加，击穿几率呈指数级别上升。因此，在齐纳击穿的情况下，为了避免设备受损，需要限制电场强度并且采用合适的绝缘措施。