激光二极管(Laser Diode)和发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)都是半导体器件,由于它们在电子领域有广泛应用,因此经常被人们所提到。然而,尽管它们具有某些共同特点,但它们之间仍存在很多的不同之处。
1.激光二极管和LED的结构差别
激光二极管和LED的最大区别就是它们的结构不同。LED通常由P型半导体、N型半导体两种材料的结合组成,激光二极管则通常包括三个地位的不同半导体材料,即P型半导体、N型半导体和未掺杂半导体材料。
此外,激光二极管内引入了额外的反射镜和腔的结构。这些镜子被放置在激光二极管的两端,使得发射的光线能够反弹回激光二极管内部,不断地被反射并增强。
2.激光二极管和LED的工作原理不同
LED是通过注入电流到PN结中来实现电子与空穴的复合,从而产生电子的光辐射效应。而激光二极管则是产生通过反射镜持续受激辐射,得到的是相干、单色、高亮度的激光束。
然而,LED不能像激光二极管那样产生较高亮度的激光光束。由于LED发射的光是非相干的,因此难以将其聚集成一束高强度的光束。
3.激光二极管和LED的应用领域不同
虽然激光二极管和LED都可以应用于通信、交通信号、照明、显示等领域,但它们的应用方式却大有不同。
激光二极管经常应用于需要高亮度和方向性激光的场合,例如摄像头、打印机、光驱等。而LED则常常被用于照明固态照明、指示灯、面板背光源等。