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PN结隔离是一种常用的集成电路制造工艺。它通过在不同区域形成PN结，将芯片内部的器件与其他器件或无源区分开来，从而提高器件等参数。
1.PN结隔离应用于多少微米
PN结隔离可以应用于不同的微米级别，从几微米到数百微米不等。其具体应用需根据芯片尺寸、工艺技术以及器件需求来确定。例如，在模拟信号电路和低功耗数字电路中，通常使用几十微米到数百微米的PN结隔离。
2.PN结隔离和氧化物隔离的区别
与PN结隔离相比，氧化物隔离（LOCOS）可提供更高的绝缘性能和更窄的区域间距。但是，由于氧化物隔离的缺陷密度更高，可能会导致器件性能下降。此外，PN结隔离的制造成本较低，因为它可以通过与器件一起形成。
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