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磁阻效应是指当电流通过具有磁性的物质时，因为磁场对载流子的运动轨迹产生影响，从而使电阻发生变化的现象。在半导体材料中，磁阻效应可以分为两类。
1.长基线磁阻效应
长基线磁阻效应（Longitudinal Magnetoresistance，LMR）是指材料的电阻随着磁场的增大而增大或减小而减小的现象。这种效应主要由于电子在磁场作用下的受阻和散射所致，其大小和方向均与磁场的强度和方向有关。
2.巨磁阻效应
巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance，GMR）是指材料的电阻随着磁场的改变而快速变化的现象。这种效应主要发生在由两个或多个带状磁性层和一个非磁性层交替形成的复合膜上，其中非磁性层的厚度比磁性层小得多。
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