磁致电阻效应是什么 磁致电阻效应的原理是什么

磁致电阻效应（magneto-resistive effect）是指在外加磁场下，材料内部的电子运动状态和电学性质会发生变化，从而导致材料的电阻率随着磁场大小、方向、温度等因素而变化的现象。磁致电阻效应广泛应用于磁存储器、传感器、读写头等领域。

1.磁致电阻效应是什么

磁致电阻效应是材料的电阻率随着外加磁场大小、方向、温度等因素的变化而变化的现象。磁致电阻效应可分为长大磁性磁致电阻（GMR）和巨磁电阻（TMR），其中GMR主要应用于硬盘驱动器等领域，而TMR则应用于磁存储器。

2.磁致电阻效应的原理是什么

磁致电阻效应的原理是基于自旋运动的电子输运理论，即当外加磁场改变自旋极化状态时，导体材料中的自由电子的自旋会发生变化，从而影响了材料的电学性质。这种效应可以通过反铁磁体、互补金属等复合材料的结构来放大，进而应用于实际领域。