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CMT8602X 是隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达 5MHz 的功率MOSEFT，IGBT 和 SiC MOSEFT, 具有一流的传播延迟和脉宽失真度。
输入侧通过一个 5700 Vrms 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）的最小值为 150 kV/us。 两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离，支持高达 1500VDC的工作电压。
每个驱动器可配置为两个低侧驱动器，两个高侧驱动器或一个死区时间（DT）可编程的半桥驱动器。使能引脚在设为高电平时可同时关断两个输出，在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。
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20+年专注于RF射频, 传感器等物联网核心元器件及解决方案的设计研发生产，国家高新技术企业，国家专精特新小巨人，提供一体化解决方案，大幅缩短客户开发周期，为客户创造最大便利! 经过多年耕耘，现已发展成为国内首家集ASIC芯片设计、MEMS传感芯片设计、封装测试校准技术、应用服务于一体的完整物联网服务产业链集团公司，产品覆盖全球33个国家，客户2000余家，是中国物联网核心元器件制造产业资深品牌。
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