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STM32WB 系列微控制器旨在最大限度地减少所需的外部组件数量，以确保最佳 RF 性能。
本文档详细介绍了 Bluetooth®低功耗应用的材料清单（BOM）。
QFN48 封装用作参考，但对其有效的考虑可轻松扩展到其他封装。
SMPS 和 LDO 配置
STM32WB 系列微控制器基于 Arm®(a)内核。
在这些器件上所实现的电源管理（参见 www.st.com 上提供的数据手册）嵌入了强大的开关模式电源（SMPS），以在电源电压高于 2 V 时提高电源效率，否则将使用 LDO 配置。
VDD > 3 V 时的 LDO 配置
此配置仅适用于寄存器 DBGMCU_IDCODE 中 REV_ID = 0x2001 的 STM32WB55Vx 器件。
HSE 微调
STM32WB MCU 使用 HSE 振荡器来产生 RF 时钟，必须对该组件进行微调。使用了内部电容，无需外部部件。
RF 匹配
RF 有一个独特的 RX/TX 引脚，该接口为单端接口，因此无需外部巴伦。此外，带内预滤波有助于减少外部元件。
阻抗匹配和谐波抑制分别需要一个由分立元件组成的外部 PI 滤波器以及一个陶瓷滤波器。天线需要另一个匹配网络。为优化 BOM 和性能稳定性，可使用内部无源器件（IPD）来替换这些滤波器。
