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飞思卡尔的 S08PT 系列拥有首款采用 0.18 微米工艺的 S08 MCU、新版本的 S08 CPU 和新的 5 V 焊盘。该系列还为不同的外设模块引入了许多新功能。凭借这些新功能，S08PT 系列具有更低的功耗、更好的瞬态保护和更好的性能。
本应用指南概述了 S08AC/FL 和 S08PT 系列之间的产品系列差异，并提供了代码转换建议。
闪存和 EEPROM
该闪存非常适合单电源应用，允许进行现场重新编程，无需外部高压电源进行编程或擦除操作。
S08PT 系列具有闪存和 EEPROM 存储器。闪存大小取决于设备，最大大小为 64 KB。EEPROM 存储器为 256 字节。这系列提供类似于 S08AC 和 S08FL 系列中的安全机制，以防止未经授权访问闪存和 EEPROM。取消保护闪存和 EEPROM 存储器也可以通过类似的方式完成，方法是 Backdoor Key 访问，然后是 Erase All Blocks 命令（类似于 S08AC/FL 系列的 Mass Erase）。
S08PT 系列支持同步闪存和 EEPROM 操作。当某些命令在 EEPROM 存储器上执行时，可以从闪存中读取数据。但是，当 Erase 和 Program 等命令正在闪存上执行时，无法从 EEPROM 存储器中读取数据。
EEPROM 存储器采用纠错码 （ECC） 实现，可以解决单位故障并检测双位故障，在所有三个系列中提供最佳的安全功能。
擦除操作基于 S08PT 系列设备上的扇区执行，类似于 S08AC/FL 系列设备上的页面。每个闪存扇区包含 512 字节。每个 EEPROM 扇区由 2 个字节组成。因此，闪存最多有 128 个扇区，而 EEPROM 有 128 个扇区。
闪存具有以下功能：
•使用 verify 的自动编程和擦除算法
•快速扇区擦除和长字（32 位）程序操作
•能够在 EEPROM 存储器中对字节进行编程时读取闪存
•灵活的保护方案，防止意外编程或擦除闪存
•能够设置 Flash 读取边距级别
EEPROM 存储器具有以下特点：
•读取操作期间字内的单位故障校正和双位故障检测
•自动编程和擦除算法，具有 ECC 奇偶校验位的验证和生成功能
•快速扇区擦除和字节程序操作
•防止意外编程或擦除 EEPROM 存储器的保护方案
•能够在突发序列中编程多达 4 个字节
•能够设置 EEPROM 读取裕量水平
闪存保护在闪存中的三个单独的存储器区域上执行：一个从全局地址0x8000开始并向上扩展（低范围），一个从全局地址0xFFFF开始并向下扩展（高范围），以及其余的存储器区域。一旦实施，受保护的地址区域只能增加，不能减少。
