SiC MOSFET中自由器件实现的优化

2023/10/26 作者：力特奥维斯Littelfuse

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SiC MOSFET中自由器件实现的优化

本文讨论了在半桥结构下SiC MOSFET自由器件实现的优化。介绍了用SiC MOSFET开关实现的多自由度器件的动态特性。比较了SiC MOSFET体二极管和SiC肖特基势垒二极管(SBD)在开尔文源连接和无开尔文源连接下的开关器件的性能。本文旨在确定SiC MOSFET的主体二极管是否是MOSFET高速开关的限制因素。

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器件型号	数量	器件厂商	器件描述	ECAD模型	参考价格	更多信息
C1608X7R1C105K080AC	1	TDK Corporation	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 1uF, Surface Mount, 0603, CHIP, ROHS COMPLIANT	ECAD模型下载ECAD模型	$0.13	查看
IPW65R041CFDFKSA1	1	Infineon Technologies AG	Power Field-Effect Transistor, 68.5A I(D), 650V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3	ECAD模型下载ECAD模型	$17.63	查看
MMBT2907ALT1G	1	Rochester Electronics LLC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN		$0.09	查看

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