IGBT是一种四层半导体器件,结合了双极晶体管(集电极-发射极)的电压特性和MOSFET的驱动特性。这个概念最早记录在山神于1968年提交的一项日本专利中。第一个设备是平面技术,但最近垂直的沟槽设备已经流行起来。
近年来,由于IGT擅长的高电压、高功率应用的增加,IGT的普及程度飙升。虽然开关速度比MOSFET慢,但在大电流下,VCE(SAT)特性比MOSFET有显著改善,特别是对于高压器件。它们的额定电压范围为300至1200伏以上,单个芯片的额定电流为15至100安培。IGBT模块的电流额定值可达100安培。