IGBT应用手册

2023/10/01 作者：安森美半导体

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IGBT应用手册

IGBT是一种四层半导体器件，结合了双极晶体管(集电极-发射极)的电压特性和MOSFET的驱动特性。这个概念最早记录在山神于1968年提交的一项日本专利中。第一个设备是平面技术，但最近垂直的沟槽设备已经流行起来。

近年来，由于IGT擅长的高电压、高功率应用的增加，IGT的普及程度飙升。虽然开关速度比MOSFET慢，但在大电流下，VCE(SAT)特性比MOSFET有显著改善，特别是对于高压器件。它们的额定电压范围为300至1200伏以上，单个芯片的额定电流为15至100安培。IGBT模块的电流额定值可达100安培。

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器件型号	数量	器件厂商	器件描述	参考价格	更多信息
457503112	1	Molex	COPPER ALLOY, TIN (100) OVER NICKEL FINISH, WIRE TERMINAL, ROHS COMPLIANT	$0.17	查看
MMBT2907ALT1G	1	Rochester Electronics LLC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN	$0.09	查看
TIC106M-S	1	Bourns Inc	Silicon Controlled Rectifier, 3200mA I(T), 600V V(DRM)	暂无数据	查看

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安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。

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