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自恢复逻辑(Self Restoring Logic,SRL)单元针对空间应用设计

2023/10/29
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自恢复逻辑(Self Restoring Logic,SRL)单元针对空间应用设计

空间应用的电路设计必须解决影响专用集成电路(ASIC)性能的恶劣辐射环境。如果单个高能粒子撞击敏感的电路节点,就会破坏集成电路。随着特征尺寸的缩小和时钟速度的提高,影响变得更加显著。半导体制造商有多种技术来减少或消除单事件效应(SEE)。一些解决方案包括工艺修改,以减少(但不能消除)SEE。在这里,我们将回顾设计强化辐射(RHBD)方法,以提高对单事件干扰的免疫力:三模冗余(TMR)和自恢复逻辑(SRL)。这两种方法都具有相似的特性,可以为asic中的单事件干扰(seu)提供容错。然而,本文揭示了SRL设计在seu耐受性、系统性能、晶体管数量和功率方面远远超出了TMR。

简而言之,对于要求容错、性能和低功耗的RHBD设计,SRL是超越TMR的一步。最后,在本文的结论中,表明传统的SEU容差设计无法在高速运行的电路中提供SEU容差;因此,如果需要SEU容忍度,只有两种选择:TMR和SRL。SRL在此被证明是优越的。

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安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用的独特设计挑战,既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。

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