自恢复逻辑（Self Restoring Logic，SRL）单元针对空间应用设计_技术资料

空间应用的电路设计必须解决影响专用集成电路(ASIC)性能的恶劣辐射环境。如果单个高能粒子撞击敏感的电路节点，就会破坏集成电路。随着特征尺寸的缩小和时钟速度的提高，影响变得更加显著。半导体制造商有多种技术来减少或消除单事件效应(SEE)。一些解决方案包括工艺修改，以减少(但不能消除)SEE。在这里，我们将回顾设计强化辐射(RHBD)方法，以提高对单事件干扰的免疫力:三模冗余(TMR)和自恢复逻辑(SRL)。这两种方法都具有相似的特性，可以为asic中的单事件干扰(seu)提供容错。然而，本文揭示了SRL设计在seu耐受性、系统性能、晶体管数量和功率方面远远超出了TMR。

简而言之，对于要求容错、性能和低功耗的RHBD设计，SRL是超越TMR的一步。最后，在本文的结论中，表明传统的SEU容差设计无法在高速运行的电路中提供SEU容差;因此，如果需要SEU容忍度，只有两种选择:TMR和SRL。SRL在此被证明是优越的。

器件型号	数量	器件厂商	器件描述	ECAD模型	参考价格	更多信息
TPS2491DGSR	1	Texas Instruments	9-V to 80-V hot swap controller with power limiting and Auto Retry 10-VSSOP -40 to 85	ECAD模型下载ECAD模型	$3.86	查看
BLM15AG221SN1D	1	Murata Manufacturing Co Ltd	Ferrite Chip, 1 Function(s), 0.45A, EIA STD PACKAGE SIZE 0402, 2 PIN	ECAD模型下载ECAD模型	$0.08	查看
TR2/1025FA15-R	1	Cooper Industries	Electric Fuse, Fast Blow, 15A, 250VAC, 60VDC, 50A (IR), Surface Mount, ROHS COMPLIANT		$2.63	查看

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