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汽车应用中的低 VCE(sat) BJT

2024/01/10
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汽车应用中的低 VCE(sat) BJT

低 VCE(sat) 双极晶体管 (BJT) 是汽车管理电路中功率开关平面 MOSFET 的极具吸引力的替代品。 事实证明,它们比同等尺寸的平面 MOSFET 具有更强的 ESD 鲁棒性、功耗更低,而且通常成本更低,从而降低了系统成本。 本应用笔记将讨论低 VCE(sat) BJT 在汽车电源管理电路中的使用。

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TXS2SA-4.5V 1 Panasonic Electronic Components Power/Signal Relay, 2 Form C, DPDT, Momentary, 0.011A (Coil), 4.5VDC (Coil), 50mW (Coil), 1A (Contact), 110VDC (Contact), DC Input, Random, DC Output, Surface Mount-Straight, ROHS COMPLIANT
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74279266 1 Wurth Elektronik Ferrite Chip, 1 Function(s), 0.2A, ROHS AND REACH COMPLIANT, EIA STD PACKAGE SIZE 0603, SMD, 2 PIN

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ADS5263IRGCT-NM 1 Texas Instruments Quad-Channel, 16-Bit, 100-MSPS Analog-to-Digital Converter (ADC) 64-VQFN -40 to 85

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安森美

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安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用的独特设计挑战,既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。

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