汽车应用中的低 VCE(sat) BJT

2024/01/10 作者：安森美半导体

1564

加入交流群

扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

汽车应用中的低 VCE(sat) BJT

低 VCE(sat) 双极晶体管 (BJT) 是汽车管理电路中功率开关平面 MOSFET 的极具吸引力的替代品。事实证明，它们比同等尺寸的平面 MOSFET 具有更强的 ESD 鲁棒性、功耗更低，而且通常成本更低，从而降低了系统成本。本应用笔记将讨论低 VCE(sat) BJT 在汽车电源管理电路中的使用。

推荐器件

更多器件

器件型号	数量	器件厂商	器件描述	参考价格	更多信息
E10GSFPSR	1	Intel Corporation	Transceiver,	$92.62	查看
0624CDMCCDS-4R7MC	1	Sumida Corporation	General Purpose Inductor,	$7.32	查看
110-83-632-41-001101	1	PRECI-DIP SSA	IC Socket, DIP32, 32 Contact(s), 0.6inch Row Spacing, Solder, ROHS COMPLIANT	$1.22	查看

原创声明：本文为安森美半导体原创内容，未经书面授权，不得以任何方式加以使用。转载合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

安森美

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。

汽车应用中的低 VCE(sat) BJT

推荐器件

相关推荐