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介绍
三端双向可控硅开关和可控硅开关是功率半导体，通常直接连接到电网。众所周知，交流电网电压在很短的时间内可能会受到重要电压变化的高度干扰，例如机械继电器触点反弹、通用电机干扰。一些电磁标准描述了如何对电器进行测试，以检查其对此类事件的免疫力。例如，IEC 61000-4-4标准分别给出了快速瞬态电压的测试程序和抗扰度要求。
为了提高功率半导体器件的抗扰度，大多数设计者在功率器件控制端子（SCR或三端双向可控硅开关的栅极）及其参考端子（SCR和三端双向晶闸管分别为K或A1）两端添加电容器。该电容器有助于稳定控制端电位，因此被认为有助于增加对快速电压上升（dV/dt）的电阻。由于该电容器也放置在功率设备和控制电路之间，控制电路可以是逻辑门或微控制器单元（MCU），因此它在从线路到敏感控制电路的路径上充当滤波器，并帮助过滤来自线路干扰的噪声。
本文证明了为什么栅极到阴极电容器不能有效地提高三端双向可控硅开关对快速电压瞬变的免疫力，尤其是对于非敏感器件。该应用说明表明，这种电容器会增加重复或意外高dI/dt的故障风险。
本申请说明中的结果是经过相当长的一段时间产生的。一些产品可能不再可用，这些产品被用作呈现这些结果的示例。然而，所给出的结果适用于所有类别和类型的产品，因此同样适用于市场上可用的类似产品。
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