介绍
本文件涉及晶闸管的硅结构和电行为。还列出了使用该设备的最常见应用程序。有关晶闸管的更多信息以及如何根据目标应用要求选择正确的零件号,请参阅AN4608。
1 晶闸管基础
1.1 硅结构及等效图
图1.晶闸管(SCR)符号(a)、硅结构(b)和简化等效图(c)显示了晶闸管符号及其硅结构的简化截面图。晶闸管具有四个交替掺杂层(P-N-P-N)。该特定实施例解释了设备的操作模式和电特性。
首先,两个P-N结的存在允许双少数载流子注入(从P2到N的空穴和从N1到P1的电子)。低掺杂区域N和P1随后被容易地调制,导致导通状态下的非常低的电压降。然而,所有这些少数载流子都必须被消除才能正常关闭。恢复时间在10到50µs之间。晶闸管专用于低频应用(低于1kHz)。