在如今的电池供电系统领域,人们对功率转换器的效率要求越来越高。随着这些系统在工业和商业应用中的不断增加(笔记本电脑、便携设备、家用电器、电动助力自行车、电动滑板车、轮椅、手机等),为了满足用户需要长时间持久使用同一电池电量的要求,提高效率变得非常重要。为此,研究人员在设计新的转换器结构、增加转换器开关频率和构想创新的功率器件方面做出了巨大努力。
一般来说,电池供电系统需要低压开关器件(<100V)。由于其高开关速度和易于驱动的优点,功率MOSFET器件在这个电压范围内占据主导地位。MOSFET的导通损耗是总功率损耗平衡中的主要关注点,特别是在低或中等开关频率的转换器中。由于导通损耗取决于漏源电阻(Ron),而漏源电阻严格与结构设计相关,因此许多现代MOSFET采用基于单元的布局,以实现低导通电阻。单元密度的增加可以进一步降低导通电阻,从而增加每个器件面积单位的电流能力。然而,对于当今最先进的MOSFET来说,采用传统布局的导通电阻的进一步降低受到限制,因为这种方法已经接近了其物理极限[1]。为了克服这种技术的限制,需要创新的方法。