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68HC908QT1 无需外部低电压抑制、具有大电流 I/O 的外部驱动器和外部数据 EEPROM，有助于降低系统成本，并通过快速闪存帮助降低编程成本。
编程。其他有价值的功能包括内部 clock oscillator。它能够使用 FLASH 和免费的专业品质开发工具（包括 QT/QY C 编译器、仿真器、汇编器、链接器、FLASH 编程器和自动代码生成器）在应用程序中更改代码，从而最大限度地提高效率并加快上市时间。
特征
• 8 MHz 总线作，5V 工作电压125 ns 最小指令周期时间
• 4 MHz 总线作，3V作250 ns最小指令周期时间
• 高效的指令集，包括乘法和除法
• 16 种灵活的寻址模式，包括相对堆栈和 16 位堆栈指针
1.5K 字节集成第二代闪存
• 应用程序内可重新编程
• 极快的编程速度 – 快至 32 μsec/byte – 比大多数嵌入式闪存快 100 倍
• FLASH 易于用于数据 EEPROM – 在整个温度范围内最小 10K 的写入/擦除周期 – 字节可写 – 访问 FLASH 程序存储器中的数据没有限制或特殊指令
• 灵活的块保护和安全性
• 通过应用程序内可编程性和可重新编程性，实现经济高效的编程更改和现场软件升级
• 几乎消除了废料、昂贵的返工和插槽成本
• FLASH 的优势，具有有竞争力的 OTP 价格
• 通过超快速编程帮助降低生产编程成本
• 在需要写入非易失性数据时，有助于降低功耗并加快应用程序速度
• 几乎消除了对外部串行数据 EEPROM 的需求和成本
• 轻松执行表格查找和数据作，无需缓慢而繁琐的特殊表格指令
• 有助于保护代码免受未经授权的读取
• 防止无意中擦除/写入用户可编程的代码段
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